概览
优势和特点
- 反射式设计
- 低插入损耗：1.1 dB
- 高隔离度：38 dB
- 高输入线性度
- P0.1dB：37 dBm
- IP3：65 dBm
- RF建立时间（0.1 dB最终RF输出）：70 ns
- 高RF功率处理
- 28 dBm（平均值）
- 36 dBm（峰值）
- 3.3 V单电源供电
- 内部负电压发生器
- 符合RoHS标准的20引脚、3 mm × 3 mm LGA封装
产品详情
ADRF5300 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。
ADRF5300 专为 24GHz 至 32 GHz 的 5G 应用而开发。ADRF5300 套件具有 1.1dB 的低插入损耗、38 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36dBm 峰值的射频 (RF) 输入功率处理能力。
ADRF5300 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V (VDD) 单一正电源供电。该套件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。
ADRF5300 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm x 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C的温度范围内工作。
应用
- 工业扫描仪
- 测试仪器仪表
- 蜂窝基础设施：5G 毫米波
- 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5300 S-Parameter Files
153.61 K
参考资料
视频 (1)
ADI公司适用于5G的硅(SOI) RF前端解决方案
设计资源
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