新产品 (1)
概览
优势和特点
- 反射式 50 Ω 设计
- 低插入损耗：典型值0.6 dB（2.7 GHz）
- TCASE = 105°C 时高功率处理能力
- 长期（使用寿命>10 年）
- 峰值功率：43 dBm
- CW功率：38 dBm
- LTE平均功率 (8 dB PAR)：35 dBm
- 长期（使用寿命>10 年）
- 单次事件（工作时间<10 秒）
- LTE平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
- 高线性度
- P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
- IP3：65 dBm（典型值，2.0 GHz至4.0 GHz时）
- ESD 额定值
- HBM：2 kV，2 级
- CDM：1.25 kV
- 单正电源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL 兼容
- 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP 封装
产品详情
ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7 GHz至5.0 GHz、单刀双掷(SPDT)反射式开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5132具有35 dBm LTE（在105°C时的平均典型值）高功率处理能力、0.6 dB (2.7 GHz)低插入损耗、65 dBm（典型值）输入3阶交调点和42.5 dBm的0.1 dB压缩(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型电源电流为1.1 mA（典型值），使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。
该器件提供符合RoHS标准的紧凑型16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP 封装。
应用
- 蜂窝/4G 基础设施
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- 引脚二极管替代器件
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
文档
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5132 S-Parameters
218.71 K
参考资料
产品选型手册 (1)
视频 (1)
采用硅(SOI)技术的高功率开关
设计资源
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