概览

优势和特点

  • 反射式 50 Ω 设计
  • 低插入损耗:典型值0.6 dB(2.7 GHz)
  • TCASE = 105°C 时高功率处理能力
    • 长期(使用寿命>10 年)
      • 峰值功率:43 dBm
      • CW功率:38 dBm
      • LTE平均功率 (8 dB PAR):35 dBm
  • 单次事件(工作时间<10 秒)
    • LTE平均功率 (8 dB PAR):41 dBm
  • 高线性度
    • P0.1dB:42.5 dBm(典型值)
    • IP3:65 dBm(典型值,2.0 GHz至4.0 GHz时)
  • ESD 额定值
    • HBM:2 kV,2 级
    • CDM:1.25 kV
  • 单正电源:5 V
  • 正控制,CMOS/TTL 兼容
  • 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP 封装

产品详情

ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7 GHz至5.0 GHz、单刀双掷(SPDT)反射式开关,采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用,如长期演进(LTE)基站。ADRF5132具有35 dBm LTE(在105°C时的平均典型值)高功率处理能力、0.6 dB (2.7 GHz)低插入损耗、65 dBm(典型值)输入3阶交调点和42.5 dBm的0.1 dB压缩(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作,典型电源电流为1.1 mA(典型值),使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件提供符合RoHS标准的紧凑型16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP 封装。

应用

  • 蜂窝/4G 基础设施
  • 无线基础设施
  • 军事和高可靠性应用
  • 测试设备
  • 引脚二极管替代器件

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADI公司的ADIsimRF设计工具可以计算RF信号链内的大部分重要参数,包括级联增益、噪声系数、IP3、P1dB和总功耗。

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

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