ADMV1530

推荐用于新设计

5 GHz至30 GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器

数据手册 (Rev. 0) 产品选型表
产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许，也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。
Viewing:

概述

  • 转换损耗（下变频器）：7 dB（典型值，15 GHz至30 GHz时）
  • 输入IP3（下变频器）：27 dBm（典型值，15 GHz至30 GHz时）
  • 输入IP2（上变频器）：50 dBm（典型值，15 GHz至30 GHz时）
  • 输入1 dB压缩点（下变频器）：17 dBm（典型值）
  • LO至RF隔离：40 dB（典型值）
  • LO至IF隔离：50 dB（典型值，15 GHz至30 GHz时）
  • RF至IF隔离：25 dB（典型值，15 GHz至30 GHz时）
  • 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装

ADMV1530是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作5 GHz至30 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口具有0 GHz至10 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。

ADMV1530采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用19 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1530无需线焊，可使用表贴制造技术。

ADMV1530采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。

应用

  • 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电
  • 测试设备
  • 军事电子战(EW)
  • 电子对抗(ECM)
  • 指挥、控制、通信和情报(C3I)

    •
    ADMV1530
    5 GHz至30 GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器
    ADMV1530 - Functional Block Diagram ADMV1530 - Pin Configuration
    添加至 myAnalog

    将产品添加到myAnalog 的现有项目或新项目中（接收通知）。

    创建新项目
    提问

    参考资料

    数据手册 1

    了解更多
    添加至 myAnalog

    Add media to the Resources section of myAnalog, to an existing project or to a new project.

    创建新项目

    软件资源

    找不到您所需的软件或驱动?

    申请驱动/软件

    评估套件

    eval board
    schematic 1
    schematic 2
    schematic 3
    EVAL-ADMV1530

    评估ADMV1530 GaAs、MMIC、双平衡混频器

    立即购买 更多内容

    产品详情

    应用所用的电路板必须采用RF电路设计技术。信号线必须具有50 Ω阻抗，并且封装接地引线和裸露焊盘必须直接连接到接地平面，类似数据手册的图134所示。利用足够数量的通孔连接顶部和底部接地平面。
    EVAL-ADMV1530
    评估ADMV1530 GaAs、MMIC、双平衡混频器
    ADMV1530 Evaluation Board - Angle ADMV1530 Evaluation Board - Top ADMV1530 Evaluation Board - Bottom

    最新评论

    需要发起讨论吗？ 没有关于 ADMV1530的相关讨论？是否需要发起讨论？

    在EngineerZone®上发起讨论

    近期浏览