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概览
优势和特点
- 快速建立时间:500 ns (0.1%)
- 低失调电压:400 μV(最大值)
- 低TCVOS:1 μV/°C(典型值)
- 低输入偏置电流:25 pA(典型值,VS = ±15 V)
- 双电源供电:±5 V 至 ±15 V
- 低噪声:8 nV/√Hz(典型值,f =1 kHz)
- 低失真: 0.0005%
- 无相位反转
- 单位增益稳定
AD8512-EP 支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
- 下载 AD8512-EP 数据手册(pdf)
- 军用温度范围(−55℃ 至 +125℃)
- 受控制造基线
- 唯一封装/测试厂
- 唯一制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
产品详情
AD8510/AD8512/AD8513分别为单通道、双通道和四通道精密JFET放大器,具有低失调电压、低输入偏置电流、低输入电压噪声和低输入电流噪声特性。
低失调、低噪声和极低输入偏置电流这些特性相结合,使这些放大器特别适合高阻抗传感器放大以及采用分流的精密电流测量应用。直流精度、低噪声和快速建立时间特性相结合,则使医疗仪器、电子测量和自动测试设备可以获得优异的精度。与许多竞争产品不同,即使容性负载相当大,AD8510/ AD8512/AD8513也能保持快速建立性能。不同于许多旧式JFET放大器,当输入电压超过最大共模电压范围时,AD8510/AD8512/AD8513不会发生输出反相。
AD8510/AD8512/AD8513在容性负载下仍提供快速压摆率和极高稳定性,因此非常适合高性能滤波器使用。低输入偏置电流、低失调和低噪声特性,使光电二极管放大器电路具有较宽的动态范围。低噪声、低失真、高输出电流和出色的速度,则使AD8510/AD8512/AD8513成为音频应用的较佳选择。
AD8510/AD8512均提供8引脚窄体SOIC_N和8引脚MSOP两种封装。MSOP封装器件仅提供卷带和卷盘形式。AD8513提供14引脚SOIC_N和TSSOP两种封装。
AD8510/AD8512/AD8513的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用- 仪器仪表
- 多极滤波器
- 精密电流测量
- 光电二极管放大器
- 传感器
- 音频
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
参考资料
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
---|---|---|---|---|
AD8512ARMZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
AD8512ARMZ-REEL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
AD8512ARZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512ARZ-REEL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512ARZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512BRZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512BRZ-REEL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512BRZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512TRZ-EP | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
AD8512TRZ-EP-R7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
Wafer Fabrication Data |
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