HMC908A

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9 GHz 至 12 GHz，GaAs，MMIC，I/Q 下变频器

 

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概述

  • 转换增益：IFOUT = 100 MHz 时为 11 dB（典型值）
  • 镜像抑制：IFOUT = 100 MHz 时为 25 dB（典型值）
  • LO 到 RF 隔离：46 dB（典型值）
  • LO 到 IF 隔离：26 dB（典型值）
  • IF 输出频率：直流至 3.5 GHz
  • 32 引脚 4.9 mm × 4.9 mm 陶瓷无引线芯片载体

HMC908A 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 微波单片集成电路 (MMIC) 同相/正交 (I/Q) 下变频器，此器件采用符合 RoHS 指令的陶瓷无引线芯片载体。此器件提供 11 dB 的小信号转换增益，噪声指数为 2 dB，100 MHz 时的镜像抑制为 25 dB。HMC908A 在低噪声放大器 (LNA) 之后使用镜像抑制混频器，该混频器由本地振荡器 (LO) 缓冲放大器驱动。借助镜像抑制混频器，LNA 后面不再需要使用滤波器，并且消除了镜频下的热噪声。提供 I 和 Q 混频器输出，并需要使用外部 90° 混合模式选择所需的边带。HMC908A 是混合式镜像抑制混频器下变频器组件的替代方案，但外形大大缩小，且可以使用表面安装制造技术，无需线焊。

应用

  • 点对点无线电
  • 单点对多点无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
  • 测试设备和传感器
  • 军事最终用途
HMC908A
9 GHz 至 12 GHz，GaAs，MMIC，I/Q 下变频器
 
HMC908A Functional Block Diagram HMC908A Pin Configuration
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产品详情

所有射频迹线都布设在第 1 层（初级侧），所有其余层都是接地平面，为射频传输线路提供可靠接地。顶层介电材料为 Rogers 4350，具备低损耗性能。中间的预浸材料可以将各个内核层粘在一起，其中包括一个上下都有铜迹线的 Isola 370HR 层。预浸材料和 Isola 370HR 内核层都用于实现所需的成品板厚度。

应用中使用的电路板采用射频 (RF) 电路设计技术。信号线必须具有 50 Ω 的阻抗，而封装接地引线和裸焊盘必须直接连接到接地平面。使用足够数量的通孔连接上下接地平面。ADI 公司可应要求提供 EV1HMC908ALC5 评估板。

EV1HMC908ALC5
HMC908A 评估板
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