概览

优势和特点

HMC787ALC3B
  • 转换损耗:9 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 本振(LO)至射频(IF)隔离:43 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • RF至中频(IF)隔离:26 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 输入三阶交调截点(IP3):24 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 输入1 dB压缩点(P1dB):17 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 输出二阶交调截点(IP2):67 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 无源双平衡拓扑结构
  • 宽IF频率范围:DC至4 GHz
  • 12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装
  • HMC787AG(芯片)
    下变频器
    • 变频损耗
      • 8 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
      • 10 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
    • LO至IF隔离
      • 44 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
      • 42 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
    • RF至IF隔离
      • 21 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
      • 32 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
    • 输入IP3
      • 22 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
      • 28 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
    • 输入P1dB
      • 15 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
      • 17 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
    • 无源双平衡拓扑结构
    • 宽IF频率范围:DC至4 GHz
    • 6焊盘、裸片[芯片]

    产品详情

    HMC787ALC3B

    HMC787A是一款通用型双平衡混频器,采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装,可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能,采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。

    HMC787AG(芯片)

    HMC787AG是一款通用型双平衡混频器,可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。

    HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能,采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。

    应用

    • 微波无线电
    • 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
    • 测试设备和传感器
    • 军用最终用途

    产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

    本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

    工具及仿真模型

    S参数

    设计工具

    ADIsimRF

    ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

    设计资源

    ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

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