HMC258

过期

HMC258 / HMC258LC3B

HMC258： 次谐波混频器芯片，14 GHz至21 GHz

HMC258LC3B： 次谐波混频器表面贴装技术(SMT)，14.5 GHz至19.5 GHz

HMC258LM3： 次谐波混频器，采用SMT封装，14 GHz至20 GHz

数据手册 产品选型表
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概述

  • 集成本振(LO)放大器： 0 dBm驱动(HMC258)
  • 集成LO放大器： 0 dBm输入（HMC258LC3B和HMC258LM3）
  • 次谐波(×2) LO
  • 高2LO至RF隔离
    HMC258: 40 dB
    HMC258LC2B: >45 dB
    HMC258LM3: >40 dB
  • 芯片尺寸(HMC258)： 0.85 mm × 1.15 mm × 0.1 mm
  • 无需外部匹配(HMC258LC3B)
  • 符合RoHS标准的3 mm × 3 mm陶瓷SMT封装(HMC258LC3B)
  • LM3 SMT封装(HMC258LM3)

HMC258器件属于次谐波(×2)单端单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，其集成的LO放大器可用作上变频器或下变频器。 HMC258器件提供芯片(HMC258)、SMT无引脚陶瓷封装(HMC258LC3B)和SMT无引脚芯片载体封装(HMC258LM3)。 HMC258采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)技术制造而成，整体芯片面积小至0.9 mm2。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（5 V）双级设计，仅需0 dBm的驱动。

HMC258芯片的低LO驱动和次谐波特性可以实现要求较低的振荡器设计。 所有数据均存储在位于50 Ω测试夹具中的芯片上，通过最短不足0.31 mm (<12 mils)的0.025 mm (1 mils)直径线焊连接。 HMC258LC3B无需外部匹配元件，适用于集成式子系统应用。 所有HMC258LM3数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC258LC3B或HMC258LM3即无需线焊，从而为客户提供一致的接口。

应用

  • 微波点对点无线电
  • 甚小孔径终端(VSAT)
  • 卫星通信(SATCOM)
  • 测试与测量设备
  • 军事和空间
  • 14 GHz和20 GHz微波无线电(HMC258LM3)
HMC258
HMC258 / HMC258LC3B

HMC258： 次谐波混频器芯片，14 GHz至21 GHz

HMC258LC3B： 次谐波混频器表面贴装技术(SMT)，14.5 GHz至19.5 GHz

HMC258LM3： 次谐波混频器，采用SMT封装，14 GHz至20 GHz
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