概览

优势和特点

  • 转换增益:12 dB
  • 镜像抑制:25 dBc
  • LO至RF隔离:45 dB
  • 噪声系数:1.8 dB
  • IP3:1 dBm
  • 32引脚5 x 5 mm SMT封装

产品详情

HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 海事和移动无线电

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本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

设计资源

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