概览
优势和特点
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 开关
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 33 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 16 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 高隔离
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
- 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.45 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
- 整个生命周期
- 高 OIP3（高增益模式）：32 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V 时为 86 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
- 与 ADRF5545A 10 W 版本引脚兼容
产品详情
ADRF5515是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块，设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515采用双通道配置，具有级联、两级、LNA和大功率硅SPDT开关。
在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声系数和33 dB的高增益（频率为3.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供16 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。
在发射操作中，当RF输入连接到端电极引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，该开关提供0.45 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。
ADRF5515的引脚与ADRF5545A 10 W版本兼容，后者在2.4 GHz至4.2 GHz的频率范围内工作。
ADRF5515在RF端口上不需要任何匹配元件，该端口可内部匹配至50 Ω。ANT和TERM端口也在内部交流耦合。因此，只有接收端口需要外部隔直电容。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm ×6 mm 40引脚LFCSP封装。
应用
- 无线基础设施
- TDD大规模多路输入和多路输出和有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型
S参数
参考资料
产品选型手册 (1)
设计资源
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