ADH8412S

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ADH8412S: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz

数据手册 (Rev. A) 产品选型表
产品技术资料帮助

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概述

  • Low noise figure: 1.4 dB typical at 0.4 GHz to 3 GHz
  • Single positive supply (self biased)
  • High gain: ≤15.5 dB typical
  • High OIP3: ≤33 dBm typical
  • RoHS compliant, 2 mm × 2 mm, 6-lead LFCSP

COMMERCIAL SPACE FEATURES

  • Supports aerospace applications
  • Wafer diffusion lot traceability
  • Radiation monitor
    • TID benchmark characterization
    • Radiation lot acceptance test (RLAT) for production TID assurance
    • Single event latch-up (SEL) benchmark characterization
  • Outgassing characterization
  • Commercial space high (CSH) features
    • Certificate of conformance
    • Qualification based on flows per NASA PEM-INST-001 and SAE AS6294
    • Burn-in, life test, and delta analysis

The ADH8412S is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 0.4 GHz to 11 GHz.

The ADH8412S provides a typical gain of 15.5 dB, a 1.4 dB typical noise figure, and a typical output third-order intercept (OIP3) of ≤33 dBm, requiring only 60 mA from a 5 V drain supply voltage. The saturated output power (PSAT) of ≤20.5 dBm typical enables the low noise amplifier (LNA) to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase and quadrature (I/Q), or image rejection mixers.

The ADH8412S also features inputs and outputs that are internally matched to 50 Ω, making the device ideal for surface-mount technology (SMT)-based, space applications. The ADH8412S is housed in a 2 mm × 2 mm, 6-lead lead frame chip scale package (LFCSP).

Additional application and technical information can be found in the Commercial Space Products Program brochure and HMC8412 data sheet.

Applications

  • Aerospace
  • Satellite missions across multiple orbits:
    • Commercial space low (CSL) product flow targeted at short mission-life low Earth orbit (LEO) missions
    • CSH product flow targeted at high-reliability, longer-life, or higher-orbit missions
  • Military radar
  • Telecommunications
  • Satellite communications
  • Avionics
  • Electronic warfare
ADH8412S
ADH8412S: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz
ADH8412S Functional Block Diagram ADH8412S Pin Configuration
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特性和优点

  • 4 层、Rogers 4350B 和 Isola 370HR 评估板。
  • 端接型 3.5 mm RF 连接器
  • 直通校准路径（未填充）

产品详情

EV1HMC8412LP2F 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。EV1HMC8412LP2F 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频迹线都有 50 Ω 特性阻抗。EV1HMC8412LP2F 填充了适合在 HMC8412 的 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的迹线损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 1 和图 3。通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD，访问 EV1HMC8412LP2F 的接地路径和 VDD 引脚。随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见图 5）。

EV1HMC8412LP2F 上的 RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV1HMC8412LP2F 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能可减少电容器数量，但因系统而异。在减少电容器数量时，建议先移除或合并离 HMC8412 较远的较大的电容器。 

需要的设备

  • RF 信号发生器
  • RF 频谱分析仪
  • RF 网络分析仪
  • 5 V、100 mA 电源
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