LTC3624
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LTC3624

静止電流が3.5μAの17V、2A同期整流式降圧レギュレータ

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製品の詳細

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よく聞かれる質問(FAQ)

製品モデル 60
1Ku当たりの価格 最低価格:$3.54
機能
  • 広い入力電圧範囲:2.7V~17V
  • 広い出力電圧範囲:0.6V~VIN
  • 最大効率:95%
  • 低静止電流:3.5μA、シャットダウン電流がゼロ
  • 固定周波数(1MHz/2.25MHz)
  • 固定出力電圧オプション
  • 超低静止電流の低ドロップアウト動作(デューティ・サイクル100%)
  • 定格出力電流:2A
  • 出力電圧精度:±1%
  • 電流モード動作による優れた入力および負荷トランジェント応答
  • 外部クロックに同期可能
  • パルス・スキップ動作、強制連続動作、Burst Mode®動作
  • 内部補償およびソフトスタート
  • 過熱保護
  • 小型8ピン(3mm × 3mm)DFNパッケージ
製品概要
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LTC3624/LTC3624-2は、高効率の17V、2A同期整流式モノリシック降圧レギュレータです。スイッチング周波数は1MHz(LTC3624)または2.25MHz(LTC3642-2)に固定されており、同期範囲は±40%です。このレギュレータの特長は、超低静止電流と広い出力電圧範囲にわたる高効率です。

この降圧レギュレータは2.7V~17Vの入力電圧範囲で動作し、0.6V~VINの可変出力電圧範囲を実現しつつ、最大2Aの出力電流を供給します。ユーザが選択可能なモード入力を備えているので、リップル・ノイズと軽負荷時の効率のどちらに重点を置くか選択できます。つまり、Burst Mode動作を選ぶと軽負荷時に最高の効率が実現されますが、パルス・スキップ・モードを選ぶと最小の電圧リップルが実現されます。MODEピンを使用してスイッチング周波数を外部クロックに同期することもできます。


LTC3624/LTC3624-2 Options
Part Number 周波数 出力電圧
LTC3624 1MHz 調整可能
LTC3624-3.3 1MHz 3.3V
LTC3624-5 1MHz 5V
LTC3624-2 2.25MHz 調整可能
LTC3624-23.3 2.25MHz 3.3
LTC3624-25 2.25MHz 5V

アプリケーション

  • バッテリ駆動機器
  • ポータブル機器
  • 緊急無線
  • 汎用の降圧電源

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利用上の注意

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アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

ドキュメント

ドキュメント

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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製品モデル

製品ライフサイクル

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4 11, 2019

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Notification of Wafer Fab Location Change for 0.35 BCD Process

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