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HMC994A: GaAs pHEMT MMIC 0.5 Watt Power Amplifier, DC - 30 GHz Data Sheet1/4/2016PDF828 K
製品概要
機能と利点
- 高 P1dB 出力電力: 28 dBm
- 高 Psat 出力電力: 30 dBm
- 高ゲイン: 14 dB
- 高出力 IP3: 39 dBm
- 電源電圧: +10 V/250 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 2.75 mm x 1.45 mm x 0.1 mm
製品概要
HMC994A は GaAs MMIC pHEMT 分布型パワー・アンプで、動作範囲は DC ～ 30 GHz です。このアンプは、14 dB のゲイン、+39 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +28 dBm の出力電力を提供し、+10 V 電源から 250 mA を必要とします。HMC994A は 2 GHz ～ 20 GHz のゲイン・スロープがわずかに正なので、EW、ECM、レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。HMC994A は出力 IP3 が最大 39 dBm なので、高次変調が使用される、防衛および宇宙や試験装置の高直線性アプリケーションに最適です。HMC994A アンプの I/O は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm（12 mil）の 2 本の 0.025 mm（1 mil）ワイヤ・ボンドで接続して測定したものです。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 防衛および宇宙
- 光ファイバ
製品カテゴリ
マーケット＆テクノロジー
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
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窒化ガリウム（GaN）による障壁の打破――RF パワー・アンプは、より高性能、より広帯域に9/1/2017 アナログ・ダイアログ
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC994A-Die S-Parameters
13.41 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC994A | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC994A-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート ＆ ディスカッション
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