類似製品

  • HMC5805A
    HMC5805A

    GaAs pHEMT MMIC 0.25 Watt Power Amplifier, DC - 40 GHz (Packaged version of HMC930A.)

製品概要

機能と利点

  • 高出力電力の 1 dB 圧縮ポイント(P1dB): 22 dBm
  • 高飽和出力電力(PSAT): 24 dBm
  • 高ゲイン: 13 dB
  • 高出力 3 次インターセプト・ポイント(IP3): 33.5 dBm
  • 電源電圧: 10 V/175 mA
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 2.82 mm x 1.50 mm x 0.1 mm

製品概要

HMC930A は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の分布型パワー・アンプで、動作範囲は DC ~ 40 GHz です。HMC930A は、13 dB のゲイン、33.5 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの 22 dBm の出力電力を提供し、10 V 電源から 175 mA を必要とします。HMC930A は 8 GHz ~ 32 GHz のゲイン・スロープがわずかに正なので、電子戦(EW)、電子対抗手段(ECM)、レーダー、テスト、試験装置などのアプリケーションに最適です。HMC930A アンプの入出力(I/O)は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm(12 mil)の 2 本の 0.025 mm(1 mil)ワイヤ・ボンドで接続して測定したものです。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • マイクロ波無線および VSAT
  • 防衛および宇宙
  • 通信インフラストラクチャ
  • 光ファイバ

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

ディスカッション

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