HMC907APM5E
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HMC907APM5E

GaAs pHEMT MMIC パワー・アンプ、0.2 GHz ～ 22 GHz

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製品モデル 2
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • 高 P1dB 出力電力:+28 dBm
  • 高ゲイン:14 dB（217 Hz 時）
  • 高出力 IP3:+40 dBm
  • 単電源: +10 V/350 mA
  • 50 Ω に整合した入出力
  • 32 ピン 5 mm x 5 mm SMT パッケージ:25 mm2
製品概要
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HMC907APM5E は GaAs MMIC pHEMT 広帯域パワー・アンプで、動作範囲は 0.2 GHz ～ 22 GHz です。この自己バイアス型パワー・アンプは、14 dB のゲイン、+40 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +28 dBm の出力電力を実現しますが、+10 V の電源から 350 mA しか必要としません。HMC907APM5E は 0.2 GHz ～ 22 GHz のゲイン平坦度が ±0.7 dB と良好なため、EW、ECM、レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。HMC907APM5E アンプの I/O は内部で 50 Ω に整合しているためマルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができ、リードレスの QFN 5 mm x 5 mm 表面実装パッケージに収められており、外付けマッチング部品が不要です。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • 防衛および宇宙
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HMC907APM5E

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更新 08/07/2023
English

HMC907APM5E: GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier 0.2 - 22 GHz Data Sheet

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アプリケーション・ノート

7

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更新 05/13/2020
English
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers redirect icon

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更新 05/13/2020
中国語
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 08/01/2019
English
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
中国語
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
日本語
AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 redirect icon

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更新 11/30/2020
English
AN-2061: Wideband Bias Tee Design Using 0402, SMD Components redirect icon

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更新 11/30/2020
日本語
AN-2061: 0402 SMD 部品を使った広帯域バイアス・ティーの設計 redirect icon

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アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

ドキュメント

技術資料 4
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データシート 1

HMC907APM5E: GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier 0.2 - 22 GHz Data Sheet

アプリケーション・ノート 3

AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算
AN-2061: 0402 SMD 部品を使った広帯域バイアス・ティーの設計
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers
アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン／パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC907APM5E 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) external-link
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  • Material Declaration external-link
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  • Reliablity Data external-link
HMC907APM5ETR 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) external-link
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  • Material Declaration external-link
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  • Reliablity Data external-link

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製品ライフサイクル

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3 19, 2021

- 20_0308

Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages

HMC907APM5E

製造中

HMC907APM5ETR

製造中

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製造中

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