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よく聞かれる質問（FAQ）
特長
- 低ノイズ指数：1.4dB（代表値）
- 正側の単電源（自己バイアス）
- 高ゲイン：≤15.5dB（代表値）
- 高OIP3：≤33dBm（代表値）
- RoHS準拠、2mm × 2mm、6ピンLFCSP
HMC8412TCPZ-EPは、防衛および航空宇宙アプリケーションに対応します（AQEC規格に準拠）
- HMC8412TCPZ-EPデータシート （pdf）をダウンロード可能
- ミリタリ温度範囲（−55°C～+125°C）
- 品質管理された製造ベースライン
- アセンブリ／テストは同一工場
- 製造工場を1箇所に限定
- 製品変更通知
- 要求に応じて入手可能な品質評価データ
- DSCC図面番号：V62/21602
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HMC8412は、ガリウム・ヒ素（GaAs）モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は0.4GHz～11GHzです。
HMC8412は、それぞれ代表値で15.5dBのゲイン、1.4dBのノイズ指数、≤33dBmの出力3次インターセプト（OIP3）を提供し、5Vドレイン電源電圧からわずか60mAを必要とします。この低ノイズ・アンプ（LNA）は、飽和出力電力（PSAT）の代表値が≤20.5dBmであるため、アナログ・デバイセズの多くのバランスド・ミキサー、同相／直交（I/Q）ミキサー、イメージ除去ミキサー用の局部発振器（LO）ドライバとして機能することができます。
HMC8412は、内部で50Ωに整合した入出力も備えているため、表面実装技術（SMT）ベースの大容量マイクロ波無線のアプリケーションに最適です。
HMC8412はRoHS準拠の2mm × 2mm、6ピンLFCSPに収められています。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 電気通信
- 防衛用レーダーおよび通信電子戦
- 航空宇宙
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よく聞かれる質問（FAQ）
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HMC8412
資料
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1つが該当
-
すべて
-
データシート
-
ユーザ・ガイド
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すべて
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データシート
5
HMC8412CHIPS: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 10 GHz Data Sheet (Rev.A)
ユーザ・ガイド
1
利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC8412CHIPS | CHIPS OR DIE |
|
|
| HMC8412CHIPS-SX | CHIPS OR DIE |
|
|
| HMC8412LP2FE |
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
|
|
|
| HMC8412LP2FETR |
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
|
|
|
| HMC8412TCPZ-EP-PT |
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
|
|
|
| HMC8412TCPZ-EP-R7 |
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
|
|
- HMC8412CHIPS
- ピン／パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- HMC8412CHIPS-SX
- ピン／パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- HMC8412LP2FE
- ピン／パッケージ図
-
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- HMC8412LP2FETR
- ピン／パッケージ図
-
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- HMC8412TCPZ-EP-PT
- ピン／パッケージ図
-
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- HMC8412TCPZ-EP-R7
- ピン／パッケージ図
-
6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
9 28, 2023
- 23_0146
Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products
HMC8412CHIPS
製造中
HMC8412CHIPS-SX
製造中
HMC8412LP2FE
製造中
HMC8412LP2FETR
製造中
HMC8412TCPZ-EP-PT
製造中
HMC8412TCPZ-EP-R7
製造中
2 6, 2024
- 24_0006
HMC8412 Data Sheet Revision
HMC8412TCPZ-EP-PT
製造中
HMC8412TCPZ-EP-R7
製造中
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
9 28, 2023
- 23_0146
Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products
HMC8412CHIPS
製造中
HMC8412CHIPS-SX
製造中
HMC8412LP2FE
製造中
HMC8412LP2FETR
製造中
HMC8412TCPZ-EP-PT
製造中
HMC8412TCPZ-EP-R7
製造中
2 6, 2024
- 24_0006
HMC8412 Data Sheet Revision
HMC8412TCPZ-EP-PT
製造中
HMC8412TCPZ-EP-R7
製造中
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット 1
Eval-HMC8412
HMC8412評価用ボード
製品の詳細
EV1HMC8412LP2Fは、厚さ10ミルのRogers 4350BおよびIsola 370HR銅被覆を使用し、公称62ミルの厚さになる4層のプリント回路基板（PCB）で構成されています。EV1HMC8412LP2FのRFINおよびRFOUTポートは3.5mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。EV1HMC8412LP2Fには、HMC8412の動作温度−40°C～+85°Cの全範囲で使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J1コネクタとJ2コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パスが用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J1およびJ2にRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、表1と図3を参照してください。EV1HMC8412LP2Fグラウンド・パスとVDDピンには、表面実装技術（SMT）テスト・ポイント・コネクタのGNDおよびVDDを使用してアクセスします。RBIASピンでのアクセスを簡単にするため、VBIAS用の追加のテスト・ポイントも用意されています（テスト・ポイント・アセンブリについては図5を参照）。
EV1HMC8412LP2FのRFパターンは、50Ωのグランデッド・コプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パッドは、グラウンド・プレーンに直接接続します。ヒート・シンクへの適切な電気伝導および熱伝導を確保するため、グラウンド・パドル直下の領域に特に集中させる形で、上面と底面のグランド・プレーンを複数のビアで接続しています。
EV1HMC8412LP2Fの電源デカップリング・コンデンサは、デバイスの特性評価に使用される構成を表しています。コンデンサの数を減らすことができますが、その数はシステムごとに異なります。コンデンサの数を減らすときは、まずHMC8412から最も遠い最大のコンデンサを取り外すか、組み合わせることをお勧めします。
必要な装置
- RF信号発生器
- RFスペクトラム・アナライザ
- RFネットワーク・アナライザ
- 電源：5V、100mA
資料
評価用キット1
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 2
Sパラメータ
