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製品概要

機能と利点

  • 低ノイズ指数: 1.1 dB(代表値)
  • 高ゲイン: 19.5 dB(代表値)
  • 高出力 3 次インターセプト・ポイント(IP3): 33 dBm(代表値)
  • ダイ・サイズ: 0.945 mm × 0.61 mm × 0.102 mm

製品概要

HMC8410CHIPS は、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低ノイズ広帯域アンプで、0.01 GHz ~ 10 GHz の周波数範囲で動作します。このデバイスは 19.5 dB のゲイン、1.1 dB のノイズ指数、33 dBm の出力 IP3(それぞれ代表値)を提供し、5 V 電源電圧から 65 mA を必要とします。この低ノイズ・アンプ(LNA)は、飽和出力電力(PSAT)が 22.5 dBm なので、アナログ・デバイセズの多くのバランスド・ミキサー、I/Q ミキサーやイメージ除去ミキサー用の局部発振器(LO)ドライバとして機能することができます。

HMC8410CHIPS は内部で 50 Ω に整合した入出力も備えているため、表面実装技術(SMT)ベースの大容量マイクロ波無線のアプリケーションに最適です。

アプリケーション

  • ソフトウェア無線
  • 電子戦
  • レーダー・アプリケーション

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

PCN-PDN Information

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