製品概要
機能と利点
- ゲイン: 21 dB(代表値)
- ノイズ指数: 3.6 dB(代表値)
- 1 dB 圧縮ポイントでの出力電力: 13 dBm(代表値)
- 最大ゲインでの入力 3 次インターセプト: 1 dBm(代表値)
- 最大ゲインでの出力 3 次インターセプト: 22 dBm(代表値)
- .飽和出力電力: 17 dBm(代表値)
- 入力リターン・ロス: 15 dB(代表値)
- 出力リターン・ロス: 17 dB(代表値)
- ダイ・サイズ: 2.844 mm × 0.999 mm × 0.05 mm
製品概要
HMC8325 は、内蔵型の E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の低ノイズ・アンプ(LNA)チップで、71 GHz ~ 86 GHz で動作します。HMC8325 は、ゲインが 21 dB、出力 P1dB が 13 dBm、OIP3 が 22 dBm、PSAT が 17 dBm ですが、3 V 電源からわずか 50 mA しか必要としません。HMC8325 は優れた直線性を示し、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム向けに最適化されています。すべてのデータは、幅 3 mil × 厚さ 0.5 mil × 長さ 7 mil のリボンを各ポートに使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール
- 試験および計測
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameter
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
製品番号 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
---|---|---|---|---|
HMC8325 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
HMC8325-SX | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート & ディスカッション
HMC8325 Discussions
サンプル&購入
ご注文に関するFAQ
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