製品概要

機能と利点

  • Gain: 29 dB
  • P1dB: +23 dBm
  • Output IP3: +30 dBm
  • Saturated Power: +24 dBm @ 27% PAE
  • Supply Voltage: +5V @ 180 mA
  • 50 Ohm Matched Input/Output
  • Die Size: 2.07 x 0.93 x 0.1 mm

製品概要

The HMC633 is a GaAs MMIC PHEMT Driver Amplifier die which operates between 5 and 17 GHz. The amplifier provides up to 31 dB of gain, +30 dBm Output IP3, and +23 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring 180 mA from a +5V supply. The HMC633 is an ideal driver amplifier for microwave radio applications from 5 to 17 GHz, and may also be biased at +5V, 130 mA to provide 2 dB lower gain with improved PAE. The HMC633 amplifier I/O’s are DC blocked and internally matched to 50 Ohms facilitating easy integration into Multi-Chip-Modules (MCMs). All data is taken with die connected at input and output RF ports via one 1 mil wedge bond with minimal length of 0.31 mm (12 mils).

Applications

  • Point-to-Point Radios
  • Point-to-Multi-Point Radios & VSAT
  • LO Driver for Mixers
  • Military & Space

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

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