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特長
- Gain: 29 dB
- P1dB: +23 dBm
- Output IP3: +30 dBm
- Saturated Power: +24 dBm @ 27% PAE
- Supply Voltage: +5V @ 180 mA
- 50 Ohm Matched Input/Output
- Die Size: 2.07 x 0.93 x 0.1 mm
The HMC633 is a GaAs MMIC PHEMT Driver Amplifier die which operates between 5 and 17 GHz. The amplifier provides up to 31 dB of gain, +30 dBm Output IP3, and +23 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring 180 mA from a +5V supply. The HMC633 is an ideal driver amplifier for microwave radio applications from 5 to 17 GHz, and may also be biased at +5V, 130 mA to provide 2 dB lower gain with improved PAE. The HMC633 amplifier I/O’s are DC blocked and internally matched to 50 Ohms facilitating easy integration into Multi-Chip-Modules (MCMs). All data is taken with die connected at input and output RF ports via one 1 mil wedge bond with minimal length of 0.31 mm (12 mils).
Applications
- Point-to-Point Radios
- Point-to-Multi-Point Radios & VSAT
- LO Driver for Mixers
- Military & Space
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HMC633-Die
資料
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ドキュメント
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC633 | CHIPS OR DIE |
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HMC633-SX | CHIPS OR DIE |
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- HMC633
- ピン/パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
- HMC633-SX
- ピン/パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
- HTML Material Declaration
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