HMC618
製造中止GaAs SMT pHEMT Low Noise Amplifier SMT, 1.2 - 2.2 GHz
製品情報
- Noise Figure: 0.75 dB
- Gain: 19 dB
- Output IP3: 36 dBm
- Single Supply: +3V to +5V
- 50 Ohm Matched Input/Output
- 16 Lead 3x3mm QFN Package: 9 mm²
The HMC618LP3E is a GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier that is ideal for Cellular/3G and LTE/4G basestation front-end receivers operating between 1.2 - 2.2 GHz. The amplifier has been optimized to provide 0.75 dB noise figure, 19 dB gain and +36 dBm output IP3 from a single supply of +5V. Input and output return losses are excellent and the LNA requires minimal external matching and bias decoupling components. The HMC618LP3E shares the same package and pinout with the HMC617LP3E 0.55 - 1.2 GHz LNA. The HMC618LP3E can be biased with +3V to +5V and features an externally adjustable supply current which allows the designer to tailor the linearity performance of the LNA for each application. The HMC618LP3E offers improved noise figure versus the previously released HMC375LP3(E) and the HMC382LP3(E).
Applications
- Cellular/3G and LTE/4G
- BTS & Infrastructure
- Repeaters and Femtocells
- Public Safety Radio
推奨代替製品
GaAs pHEMT MMIC 低ノイズ・アンプ、1.2GHz～2.2GHz
ドキュメント
アプリケーション・ノート 1
評価用設計ファイル 1
製造中止品のデータシート 1
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
|---|---|---|
| HMC618A | 新規設計に推奨 | GaAs pHEMT MMIC 低ノイズ・アンプ、1.2GHz～2.2GHz |
ツールおよびシミュレーション
Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
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