製品概要
機能と利点
- ノイズ指数：0.75 dB
- ゲイン: 19 dB
- OIP3: 36 dBm
- 単電源：+3V ～ +5V
- 50Ωに整合した入出力
- 16 ピン 3 mm x 3 mm SMTパッケージ：9 mm²
製品概要
HMC618ALP3Eは、GaAs pHEMT MMIC低ノイズアンプで、1.2〜2.2 GHzで作動するセルラ/3GおよびLTE/WiMAX/4G基地局フロントエンド・レシーバーに最適です。このアンプは、+5V 単一電源電圧で、0.75dB ノイズ指数、19dB のゲイン、+36dBm の出力 IP3 を実現するように最適化されています。入力と出力のリターン・ロスが優れており、LNA には最小の外付けマッチング部品とバイアス・デカップリング部品のみが必要です。HMC618ALP3E は、HMC617LP3E 0.55〜1.2 GHz LNAと同じパッケージとピン配置を採用しています。HMC618ALP3E には +3V〜+5V のバイアスをかけることができ、外部の調整可能な供給電流を備えているため、設計者はアプリケーションごとに LNA の直線性能を変更できます。HMC618ALP3E では、以前の HMC375LP3(E) やHMC382LP3(E) と比べ、ノイズ指数が改善されています。
アプリケーション
- セルラ/3GおよびLTE/WiMAX/4G
- BTS&インフラストラクチャ
- 中継器およびフェムトセル
- 公共安全ラジオ
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
ドキュメント
データシート (1)
アプリケーション・ノート (4)
ツール
Sys-Parameters
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
参考資料
セレクション・ガイド (1)
Tape & Reel Specification (1)
設計リソース
ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well. "Zero defects" for shipped products is always our goal.
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