HMC618A
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HMC618A

GaAs pHEMT MMIC 低ノイズ・アンプ、1.2GHz～2.2GHz

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ご購入＆ご注文に関するFAQ
製品モデル 2
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • ノイズ指数：0.75 dB
  • ゲイン: 19 dB
  • OIP3: 36 dBm
  • 単電源：+3V ～ +5V
  • 50Ωに整合した入出力
  • 16 ピン 3 mm x 3 mm SMTパッケージ：9 mm²
製品概要
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HMC618ALP3Eは、GaAs pHEMT MMIC​低ノイズアンプで、1.2〜2.2 GHzで作動するセルラ/3GおよびLTE/WiMAX/4G基地局フロントエンド・レシーバーに最適です。このアンプは、+5V 単一電源電圧で、0.75dB ノイズ指数、19dB の​​ゲイン、+36dBm の出力 IP3 を実現するように最適化されています。入力と出力のリターン・ロスが優れており、LNA には最小の外付けマッチング部品とバイアス・デカップリング部品のみが必要です。HMC618ALP3E は、HMC617LP3E 0.55〜1.2 GHz LNAと同じパッケージとピン配置を採用しています。HMC618ALP3E には　+3V〜+5V のバイアスをかけることができ、外部の調整可能な供給電流を備えているため、設計者はアプリケーションごとに LNA の直線性能を変更できます。HMC618ALP3E では、以前の HMC375LP3(E) やHMC382LP3(E) と比べ、ノイズ指数が改善されています。

アプリケーション

  • セルラ/3GおよびLTE/WiMAX/4G
  • BTS&インフラストラクチャ
  • 中継器およびフェムトセル
  • 公共安全ラジオ
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HMC618A

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更新 05/03/2019
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HMC618A Data Sheet (Rev.A)

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アプリケーション・ノート

6

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更新 11/11/2015
English
Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note redirect icon

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更新 05/13/2020
English
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers redirect icon

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更新 05/13/2020
中国語
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 08/01/2019
English
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
中国語
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
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ドキュメント

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アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン／パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC618ALP3E 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.85mm) external-link
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HMC618ALP3ETR 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.85mm) external-link
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