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HMC618A Data Sheet (Rev. A)5/3/2019
製品概要
機能と利点
- ノイズ指数：0.75 dB
- ゲイン: 19 dB
- OIP3: 36 dBm
- 単電源：+3V ～ +5V
- 50Ωに整合した入出力
- 16 ピン 3 mm x 3 mm SMTパッケージ：9 mm²
製品概要
HMC618ALP3Eは、GaAs pHEMT MMIC低ノイズアンプで、1.2〜2.2 GHzで作動するセルラ/3GおよびLTE/WiMAX/4G基地局フロントエンド・レシーバーに最適です。このアンプは、+5V 単一電源電圧で、0.75dB ノイズ指数、19dB のゲイン、+36dBm の出力 IP3 を実現するように最適化されています。入力と出力のリターン・ロスが優れており、LNA には最小の外付けマッチング部品とバイアス・デカップリング部品のみが必要です。HMC618ALP3E は、HMC617LP3E 0.55〜1.2 GHz LNAと同じパッケージとピン配置を採用しています。HMC618ALP3E には +3V〜+5V のバイアスをかけることができ、外部の調整可能な供給電流を備えているため、設計者はアプリケーションごとに LNA の直線性能を変更できます。HMC618ALP3E では、以前の HMC375LP3(E) やHMC382LP3(E) と比べ、ノイズ指数が改善されています。
アプリケーション
- セルラ/3GおよびLTE/WiMAX/4G
- BTS&インフラストラクチャ
- 中継器およびフェムトセル
- 公共安全ラジオ
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC618A S-Parameters
12.85 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC618ALP3E | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.85mm) | |
| HMC618ALP3ETR | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.85mm) | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
PCN-PDN情報
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サンプル＆購入
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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格（FOB）で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。