製品概要

機能と利点

  • 飽和出力電力:
    25 % の PAE で +31.5 dBm
  • 出力 IP3: +41 dBm
  • ゲイン: 24 dB
  • DC電源: +7 V/820 mA
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 2.47 mm x 1.33 mm x 0.1 mm

製品概要

HMC590 は、広ダイナミック・レンジの GaAs PHEMT MMIC 1 W パワー・アンプで、動作範囲は 6 GHz ~ 10 GHz です。このアンプ・ダイは、+7.0 V 電源から 25 % の PAE で 24 dB のゲインと +31.5 dBm の飽和電力を提供します。マルチチップ・モジュール(MCM)に組み込みやすくするため、RF I/O は DC ブロックされており、50 Ω に整合しています。

全てのデータは、直径 0.025 mm(1 mil)、長さ 0.31 mm(12 mil)のワイヤ・ボンドを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。最適な OIP3 を必要とするアプリケーションでは、Idd を 520 mA に設定して +41 dBm の OIP3 を得ます。最適な出力 P1dB を必要とするアプリケーションでは、Idd を 820 mA に設定して最大 +32 dBm の出力 P1dB を得ます。

アプリケーション

  • ポイント to ポイント無線 
  • ポイント to マルチポイント無線 
  • 試験装置およびセンサー 
  • 防衛用 
  • 宇宙

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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