HMC457
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HMC457

1 W パワー・アンプ、SMT、1.7 GHz ~ 2.2 GHz

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製品モデル 2
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • 出力 IP3: +46 dBm
  • ゲイン: 1900 MHz で 27 dB
    +32 dBm の Pout で 48% の PAE
  • -50 dBc の ACPR で +25 dBm の W-CDMA チャンネル電力
  • 内蔵電力制御(Vpd ピン)
  • QSOP16G SMT パッケージ: 29.4 mm²
  • HMC-DK002 設計キットに搭載
製品概要
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HMC457QS16G(E) は、高ダイナミック・レンジの GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した 1 W MMIC パワー・アンプで、動作範囲は1.7 GHz ~ 2.2 GHz です。小型 16 ピン QSOP プラスチック・パッケージを採用したこのアンプのゲインの代表値は、1.7 GHz ~ 2.0 GHz で 27 dB、2.0 GHz ~ 2.2 GHz で 25 dB です。使用する外付け部品数が最小限のこのアンプの出力 IP3 は、+45 dBm に最適化することができます。電力制御(Vpd ピン)を使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。HMC457QS16G(E) は出力 IP3 と PAE が高いため、セルラ/3G 基地局や中継器のアプリケーションに最適なパワー・アンプです。 

アプリケーション

  • CDMA および W-CDMA
  • GSM、GPRS および EDGE
  • 基地局および中継器

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ドキュメント

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アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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