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HMC457 Data Sheet3/22/2019
製品概要
機能と利点
- 出力 IP3: +46 dBm
- ゲイン: 1900 MHz で 27 dB
+32 dBm の Pout で 48% の PAE - -50 dBc の ACPR で +25 dBm の W-CDMA チャンネル電力
- 内蔵電力制御(Vpd ピン)
- QSOP16G SMT パッケージ: 29.4 mm²
- HMC-DK002 設計キットに搭載
製品概要
HMC457QS16G(E) は、高ダイナミック・レンジの GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した 1 W MMIC パワー・アンプで、動作範囲は1.7 GHz ~ 2.2 GHz です。小型 16 ピン QSOP プラスチック・パッケージを採用したこのアンプのゲインの代表値は、1.7 GHz ~ 2.0 GHz で 27 dB、2.0 GHz ~ 2.2 GHz で 25 dB です。使用する外付け部品数が最小限のこのアンプの出力 IP3 は、+45 dBm に最適化することができます。電力制御(Vpd ピン)を使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。HMC457QS16G(E) は出力 IP3 と PAE が高いため、セルラ/3G 基地局や中継器のアプリケーションに最適なパワー・アンプです。
アプリケーション
- CDMA および W-CDMA
- GSM、GPRS および EDGE
- 基地局および中継器
製品ライフサイクル
新規設計には非推奨
新規設計にはお勧めしていません。
評価キット (1)
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022
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Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated QSOP (QTR: 02015 REV: 11)3/22/2019
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Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-B (QTR: 2013-00229)10/29/2015
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HMC Legacy PCN: QS##, QS##E and QS##G,QS##GE packages - Relocation of pre-existing production equipment to new building2/1/2013
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameter
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameter
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
製品番号 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
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HMC457QS16GE | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 16-Lead QSOP w/ EP | |
HMC457QS16GETR | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 16-Lead QSOP w/ EP | |
ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート & ディスカッション
HMC457 Discussions
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