類似製品

  • HMC454
    HMC454

    1/2 W 高 IP3 アンプ、SMT、0.4 GHz ~ 2.5 GHz

製品概要

機能と利点

  • ゲイン: 23 dB
  • 飽和電力: 42% の PAE で +29.5 dBm
  • 電源電圧: +2.75 V ~ +5 V
  • パワーダウン機能
  • 少ない外付け部品数

製品概要

HMC413QS16G(E) は、高効率 GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した MMIC パワー・アンプで、動作範囲は 1.6 GHz ~ 2.2 GHz です。このアンプは、RF 性能と熱性能を改善するために、低価格のエクスポーズド・パッド付き 16 ピン表面実装パッケージを採用しています。外付け部品が最小限のこのアンプは、+5 V 電源電圧から 42% の PAE で 23 dB のゲインと +29.5 dBm の飽和電力を提供します。また、このアンプは 3.6 V の電源電圧でも動作します。Vpd ピンを使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。 

アプリケーション

  • セルラ/PCS/3G
  • 携帯機器およびインフラストラクチャ
  • ワイヤレス・ローカル・ループ

製品ライフサイクル icon-not-recommended 新規設計には非推奨

新規設計にはお勧めしていません。

評価キット (1)

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

ディスカッション

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更 されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

モデル一覧の項目説明

 

 

 

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