製品概要

機能と利点

  • PSAT: 29.5 dBm
  • 高出力 IP3: 37 dBm
  • 高ゲイン: 29 GHz ~ 32 GHz で 24 dB(代表値)
  • DC 電源: 5 V/600 mA
  • 50 Ω に整合した入出力
  • 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ: 25 mm2

製品概要

HMC1132PM5E は、4 段構成のガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)パワー・アンプです。このデバイスは、27 GHz ~ 32 GHz で動作し、5 V 電源から 24 dB のゲインと 29.5 dBm の飽和出力電力を提供します。

HMC1132PM5E は優れた直線性を示し、高出力 3 次インターセプト(IP3)が 37 dBm であり、大容量のポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線システム向けに最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、HMC1132PM5E はアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。

HMC1132PM5E アンプの入出力(I/O)は内部で 50 Ω に整合しています。このデバイスは、RoHS 準拠のプリモールド・キャビティ、5 mm × 5 mm LFCSP パッケージに収容されているため、大容量、表面実装技術(SMT)アセンブリ装置と互換性があります。

アプリケーション

  • ポイント to ポイント無線
  • ポイント to マルチポイント間無線
  • 超小型地上局(VSAT)および衛星通信(SATCOM)
  • 防衛および宇宙

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

評価キット (1)

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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