製品概要

機能と利点

  • デュアル・チャンネルRFフロント・エンドを内蔵
    • 2段LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
    • オンチップのバイアスおよびマッチング
    • 単電源動作
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 平均LTE出力(9dB PAR、寿命全期間):43dBm
  • ゲイン
    • 高ゲイン・モード:3.6GHzで36dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:3.6GHzで17dB(代表値)
  • 低ノイズ指数
    • 高ゲイン・モード:3.6GHzで1.05dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:3.6GHzで1.05dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • RXOUT-CHAとRXOUT-CHB:47dB(代表値)
    • TERM-CHAとTERM-CHB:75dB(代表値)
  • 低挿入損失:3.6GHzで0.5dB(代表値)
  • 高OIP3:35dBm(代表値)
  • パワーダウン・モードおよび低ゲイン・モード
  • 低電源電流
    • 高ゲイン・モード:5Vで95mA(代表値)
    • 低ゲイン・モード:5Vで48mA(代表値)
    • パワーダウン・モード:5Vで13mA(代表値)
  • 正ロジック制御
  • 6mm × 6mmの40ピンLFCSPパッケージ
  • ADRF5515およびADRF5519と、10WバージョンのADRF5545AおよびADRF5549とピン互換

製品概要

ADRF5515Aは、時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計されたデュアル・チャンネルの統合型RFフロント・エンド・マルチチップ・モジュールです。デバイスは、3.3GHz~4.0GHzで動作します。2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)および高出力シリコン単極双投(SPDT)スイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。

高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチを使用して、低ノイズ指数1.05dB、高ゲイン36dB(3.6GHz時)、出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)35dBm(代表値)を実現します。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパスされ、48mAという低電流で17dBのゲインを実現します。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは13mAの電流を供給します。

送信動作において、RF入力が終端ピン(TERM-CHAまたはTERM-CHB)に接続されると、スイッチは0.5dBという低挿入損失となり、ロング・ターム・エボリューション(LTE)の平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmになります。

デバイスは、RoHS準拠の小型6mm × 6mm、40ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)を採用しています。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • TDD Massive Multiple-Input Multiple-Outputおよびアクティブ・アンテナ・システム
  • TDDベースの通信システム
  • 製品カテゴリ

    マーケット&テクノロジー

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