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ADL8106: GaAs、pHEMT、低ノイズ・アンプ、18GHz～54GHz データシート (Rev. B)2/15/2023PDF1 M
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ADL8106CHIPS: GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 20 GHz to 54 GHz Data Sheet (Rev. 0)5/11/2022PDF2 M
製品概要
機能と利点
- ゲイン：30GHz～44GHzで21.5dB（代表値）
- 入力リターン・ロス：30GHz～44GHzで22dB（代表値）
- 出力リターン・ロス：30GHz～44GHzで23dB（代表値）
- OP1dB：30GHz～44GHzで14dB（代表値）
- PSAT：30GHz～44GHzで18dBm（代表値）
- OIP3：30GHz～44GHzで21.5dBm（代表値）
- ノイズ指数：30GHz～44GHzで3.0dB（代表値）
- 電源電圧：3V/120mA
- 50Ωに整合した入出力
- ダイ・サイズ：2.3mm x 1.45mm x 0.1mm
製品概要
ADL8106は、ガリウム・ヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度転送（pHEMT）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の広帯域低ノイズ・アンプで、動作範囲は20GHz～54GHzです。このアンプは、30GHz～44GHzの帯域で、21.5dBのゲイン、1dB圧縮ポイント（OP1dB）での14dBmの出力電力、21.5dBmの出力3次インターセプト（OIP3）（代表値）を提供します。ADL8106には、電源電圧（VDD）3Vの電源からの120mAが必要であり、内部で50Ωに整合し、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができる入出力を特長としています。すべてのデータは、RFINおよびRFOUTパッドを最短0.076mm～0.152mm（3mil～6mil）の1本の0.076mm（3mil）幅の金リボン・ボンドで接続して測定したものです。
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
参考資料
ツールおよびシミュレーション
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| ADL8106ACEZ | 成分表 | 品質および信頼性 | 24-terminal LGA_CAV (15 mm x 15 mm x 1.60 mm) | |
| ADL8106ACEZ-R7 | 成分表 | 品質および信頼性 | 24-terminal LGA_CAV (15 mm x 15 mm x 1.60 mm) | |
| ADL8106CHIPS | 成分表 | 品質および信頼性 | CHIPS OR DIE | |
| ADL8106CHIPS-SX | 成分表 | 品質および信頼性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
PCN-PDN情報
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サポート ＆ ディスカッション
ADL8106 Discussions
RE: ADL8106
5 週間前 RF and Microwave
RE: ADL8106 datasheet data download
15 週間前 RF and Microwave
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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格（FOB）で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。