HMC450
新規設計に推奨パワー・アンプ、SMT、0.8 GHz ~ 1.0 GHz
- 製品モデル
 - 2
 - 1Ku当たりの価格
 - 価格は未定
 
製品情報
- ゲイン: 26 dB
 - 28.5 dBm の出力電力で 32% の PAE
 - +40 dBm の出力 IP3
 - 内蔵電力制御(Vpd ピン)
 - HMC-DK002 設計キットに搭載
 
HMC450QS16G(E) は、高効率 GaAs InGaP HBT を使用した中出力 MMIC アンプで、動作範囲は 800 MHz ~ 1000 MHz です。このアンプは、低価格の表面実装 16 ピン・パッケージを採用し、1.6 GHz ~ 2.3 GHz の広帯域パワー・アンプ HMC413QS16G と同じピン配置と機能を提供します。外付け部品が最小限のこのアンプは、+5 V 電源電圧から 26 dB のゲイン、+40 dBm の OIP3、+28.5 dBm の飽和電力を確保します。内蔵の電力制御(Vpd ピン)を使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。高ゲインと高出力 IP3 を組み合わせた HMC450QS16G(E) は、セルラ、PCS、および 3G のアプリケーションに最適なリニア・ドライバです。
アプリケーション
- GSM、GPRS、および Edge
 - CDMA および WCDMA
 - 基地局および中継器
 
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
品質関連資料 3
テープ&リール仕様 1
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル | 
|---|---|---|---|
| HMC450QS16GE | 16 ld QSOP_EP | ||
| HMC450QS16GETR | 16 ld QSOP_EP | 
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN | 
|---|---|---|
| 
                                                            9 29, 2025 - 25_0079 Obsolescence of GCS P1HBT Process  | 
                                                    ||
| HMC450QS16GE | 最終販売 | |
| HMC450QS16GETR | 最終販売 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
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