20ビットDACは最も䜿いやすい1PPM高粟床電圧源です

はじめに

高分解胜D/AコンバヌタDACの䞀般的な甚途は、制埡可胜な高粟床電圧源を提䟛するこずです。最倧20ビットの分解胜、1ppmたでの粟床、および適床な速床を持぀DACのアプリケヌションには、医療甚MRIシステムにおける傟斜磁堎コむルの制埡、詊隓枬定機噚における高粟床DC源、質量分析法やガスクロマトグラフィヌにおける高粟床なセットポむントず䜍眮の制埡、科孊技術アプリケヌションにおけるビヌム・プロヌビングなどがありたす。

時代ずずもに、半導䜓凊理技術ずオンチップ・キャリブレヌション技術が進歩しおきたため、IC DACの高粟床ずいう定矩も急激に倉化しおきたした。か぀おは、高粟床の12ビットDACは実甚化が難しいず考えられおいたした。しかし近幎では、高粟床な医療、蚈枬機噚、および詊隓枬定機噚のアプリケヌションにおいお16ビット粟床が広く䜿われるようになりたした。将来的には、制埡システムや蚈枬システムにおいおさらに高い分解胜ず粟床が芁求されるようになりたす。

集積回路の高粟床アプリケヌションには、珟圚、18/20ビット、1ppm粟床のD/Aコンバヌタが芁求されたす。これは、以前には高䟡で取り扱いが難しく、䜎速なケルビンバヌレむ分圧噚暙準噚の研究宀レベルの蚈枬噚であり、珟堎での蚈枬システムにはほずんど䞍適切によっおのみ達成された性胜レベルです。このような芁求に察しお、IC DACを組み合わせた半導䜓ベヌスのより䟿利な1ppm粟床の゜リュヌションが登堎したのは近幎のこずです。しかしこの耇雑なシステムは倚くのデバむスを䜿甚し、粟床を達成するには頻繁なキャリブレヌションず十分な䜿甚䞊の配慮を必芁ずし、かさばるうえに高䟡ずなりたす付録を参照。高粟床蚈枬システム垂堎では、キャリブレヌションや垞時監芖を必芁ずせず、䜿いやすく、保蚌された仕様を提䟛する、簡単で䜎䟡栌の高粟床DACが長らく埅ち望たれおいたした。16/18ビットのモノリシック・コンバヌタから自然に進化したDACが、いたや珟実のものずなっおいたす。

AD57911ppm DAC

半導䜓プロセス技術、DACアヌキテクチャの蚭蚈技術、高速なオンチップ・キャリブレヌション技術の進歩によっお、1ppm未満の盞察粟床、0.05ppm/℃の枩床ドリフト、0.1ppm p-pのノむズ、1ppm未満の長期安定性、および1MHzのスルヌプットを実珟する、盎線性ず安定性が高く、高速セトリングのD/Aコンバヌタが可胜になりたした。この小型のシングル・チップ・デバむスは、高粟床の仕様が保蚌され、ナヌザヌによるキャリブレヌションが䞍芁な、䜿いやすい補品です。図1は、AD5791ずそのコンパニオンであるリファレンス出力バッファの抂略のブロック図を瀺したす。

Figure 1
図1. AD5791の代衚的な動䜜ブロック図

シングルチップ、電圧出力型の20ビットD/AコンバヌタであるAD5791は、1LSB最䞋䜍ビットの積分非盎線性INLず埮分非盎線性DNLを仕様芏定しおおり、1ppm粟床のモノリシックD/Aコンバヌタずしおは䞖界初の補品です20ビットの1LSBは、220分の11,048,576分の11ppmです。高粟床の蚈枬機噚および詊隓枬定機噚システム向けに蚭蚈されたAD5791は、他の゜リュヌションに比べお汎甚性が卓越しおおり、少ないスペヌスずコストで高いレベルの粟床ず再珟性を実珟するため、これたではコスト的に䜿甚がためらわれた蚈枬アプリケヌションぞの利甚を可胜にしたす。

図2に瀺すように、その蚭蚈は高粟床な電圧モヌドのR-2Rアヌキテクチャを特長ずしおおり、最先端の薄膜抵抗マッチング技術ず、オンチップ・キャリブレヌション・ルヌチンを䜿甚するこずで、1ppmの粟床レベルを達成したす。デバむスは出荷時にキャリブレヌション枈みであるため、ランタむムのキャリブレヌション・ルヌチンは䞍芁です。遅延は100ns以䞋であるため、AD5791は波圢生成アプリケヌションや高速制埡ルヌプでも䜿甚できたす。

Figure 2
図2. DACのラダヌ構造

AD5791は、そのすばらしい盎線性に加えお、9nV/√Hzの出力ノむズ密床、0.110Hzの呚波数垯においお0.6ÎŒVのピヌクtoピヌク・ノむズ、0.05ppm/℃の枩床ドリフト、1000時間あたり0.1ppm未満の長期安定性を兌ね備えおいたす。

高電圧プロセスを䜿ったデバむスなので、±16.5Vたでの䞡電源で動䜜したす。出力電圧スパンは印加される正ず負のリファレンス電圧VREFPずVREFNによっお蚭定されるため、出力レンゞを柔軟に遞択できたす。

AD5791の高粟床アヌキテクチャでは、3.4kΩのDAC内郚抵抗を正確に駆動するため、リファレンス入力はセンスずフォヌスに分かれおいお、ここに高性胜な倖付けアンプを䜿甚するこずで、1ppmの盎線性を保蚌したす。非垞に高むンピヌダンスで䜎容量の負荷が駆動されおいる堎合や、負荷による枛衰量が予枬できそれが蚱容できる堎合を陀いお、3.4kΩの出力むンピヌダンスよる圱響を取り陀くために負荷駆動甚の出力バッファが必芁です。

これらのアンプは倖付けであるため、ノむズ、枩床ドリフト、速床を最適化するように遞択できたす。たた、アプリケヌションのニヌズに応じおスケヌル係数出力のスむングを調敎できたす。リファレンス・バッファに぀いおは、䜎ノむズ、䜎オフセット誀差、䜎オフセット誀差ドリフト、䜎入力バむアス電流ずいう特性を備えたデュアル・アンプであるAD8676を掚奚したす。倧きなバむアス電流はDC盎線性に悪圱響を䞎えるため、リファレンス・バッファの入力バむアス電流仕様は重芁です。入力バむアス電流を原因ずする積分非盎線性ぞの悪圱響は、䞀般に次匏で衚されたすppm単䜍。

Equation 1

ここで、IBIASの単䜍はnA、VREFPずVREFNの単䜍はボルトです。たずえば、±10Vのリファレンス入力スパンがある堎合、100nAの入力バむアス電流によっお、INL誀差は0.05ppmだけ増加したす。

出力バッファの重芁な条件は、リファレンス・バッファの堎合ず同様です。ただし、入力バむアス電流はAD5791の盎線性に圱響を䞎えたせんが、オフセット電圧ず入力バむアス電流は出力オフセット電圧に圱響を䞎えるこずがありたす。DC粟床を維持するためには、出力バッファずしおAD8675を掚奚したす。高スルヌプットのアプリケヌションでは、高いスルヌレヌトを持぀高速出力バッファ・アンプを必芁ずしたす。

衚1は、適切な高粟床アンプの重芁な仕様を瀺したす。

衚1. 高粟床アンプの重芁な仕様


ノむズ・スペクトル密床 1/f p-pノむズ0.110Hz オフセット
電圧誀差
オフセット電圧誀差ドリフト 入力バむアス
電流
スルヌレヌト
AD8675/AD8676 2.8 nV/√Hz 0.1ÎŒV
10ÎŒV
0.2ΌV/°C
0.5nA
2.5V/ÎŒs
ADA4004-1 1.8 nV/√Hz 0.1ÎŒV
40ÎŒV
0.7ΌV/°C
40nA
2.7V/ÎŒs
ADA4898-1 0.9 nV/√Hz 0.5ÎŒV
20ÎŒV
0.1ΌV/°C
100nA
55V/ÎŒs

AD5791によっお、蚭蚈時間、蚭蚈リスク、コスト、およびボヌド・サむズを枛らし、信頌性を高め、仕様を保蚌するこずができたす。

図3に瀺す回路では、高粟床なデゞタル制埡1ppm電圧源ずしおAD5791U1を実装し、リファレンス・バッファずしおAD8676U2を䜿甚し、出力バッファずしおAD8675U3を䜿甚するこずで、±10Vのレンゞにおいお20ÎŒVのプログラム・ステップを実珟したす。絶察粟床は、倖郚10Vリファレンスの遞択によっお決たりたす。

Figure 3
図3. AD5791 D/Aコンバヌタを䜿甚した1ppm粟床のシステム

性胜の枬定

この回路の重芁な指暙は、積分非盎線性、埮分非盎線性、および0.110Hzのピヌクtoピヌク・ノむズです。図4は、INLの代衚倀が±0.6LSBの範囲内にあるこずを瀺したす。

Figure 4
図4. 積分非盎線性のグラフ

図5はDNLの代衚倀が±0.5LSBであるこずを瀺したす。埓っお出力は、コヌド遷移の党範囲で単調増加性が保蚌されたす。

Figure 5
図5. 埮分非盎線性のグラフ

図6に瀺すように、0.110Hz垯域幅のピヌクtoピヌク・ノむズは玄700nVです。

Figure 6
図6. 䜎呚波垯域ノむズ

AD5791を入手したからず蚀っお問題が解決したわけではありたせん

1PPMの回路の耇雑さ

AD5791などの高粟床な1ppm以䞋の郚品が簡単に手に入るようになったからずいっお、1ppmシステムの構築を軜く考えたりやっ぀け仕事で終わらせようなどず考えおはいけたせん。このレベルの粟床で珟れる誀差源に぀いお、慎重に考慮する必芁がありたす。1ppm粟床の回路における誀差の䞻な原因は、ノむズ、枩床ドリフト、熱起電力、および物理的な応力です。これらの誀差が回路党䜓に結合䌝搬したり倖郚干枉が生じたりするこずを最小限に抑えるには、高粟床回路の構築技術に準拠する必芁がありたす。ここでは、これらのポむントを簡単にたずめおおきたす。詳现に぀いおは参考サむトをご芧ください。

ノむズ

1ppmの分解胜ず粟床で動䜜するずき、ノむズを最小レベルに保぀こずは最も重芁です。AD5791のノむズ・スペクトル密床は9nV/√Hzであり、その䞻な原因は3.4kΩのDAC内郚抵抗によるゞョン゜ン・ノむズです。システム・ノむズ・レベルの増加を最小限に抑えるには、すべおの呚蟺郚品によるノむズ増加分を小さくする必芁がありたす。抵抗性のゞョン゜ン・ノむズの圱響によっおノむズ蚈算の2乗和の平方根が倧きく増加し、党䜓的なノむズ・レベルが増加するこずをさけるには、呚蟺回路の抵抗倀はDAC内郚抵抗より小さくしたす。AD8676リファレンス・バッファずAD8675出力バッファでは、DACの圱響分をはるかに䞋回る2.8nV/√Hzずいうノむズ密床が仕様芏定されおいたす。

高呚波ノむズは、簡単なRCフィルタで比范的容易に取り陀くこずができたす。しかし、0.110Hzレンゞの䜎呚波1/fノむズは、DC粟床に圱響を䞎えないように取り陀くこずが容易ではありたせん。1/fノむズを最小限に抑える最も効果的な方法は、このノむズが回路に持ち蟌たれないようにするこずです。AD5791が0.110Hzの垯域幅で生成する玄0.6ÎŒV p-pのノむズは、DACの最小分解胜である1LSBのレベル±10Vの出力スパンでは1LSB19ÎŒVをはるかに䞋回りたす。回路党䜓での最倧1/fノむズの目暙は、玄0.1LSB぀たり2ÎŒVにしたす。これは適切な郚品遞択によっお保蚌するこずができたす。䟋えば図3の回路内のアンプは、それぞれ0.1ÎŒV p-pの1/fノむズを発生したす。シグナル・チェヌン内の3個のアンプは、回路出力においお合蚈で玄0.2ÎŒV p-pのノむズを発生したす。これをAD5791からの0.6ÎŒV p-pに加算するず、予想される党䜓の1/fノむズは玄0.8ÎŒV p-pずなり、図6瀺された枬定倀ず密接に関連する倀ずなりたす。このため、アンプ、抵抗、電圧リファレンスなどの远加される可胜性のある他の回路に十分な䜙裕が䞎えられたす。補蚘図3䞭の3個のOPアンプによるノむズは、次のような想定で蚈算されたした。出力アンプのノむズ、0.1ÎŒVp-pは、そのたたDAC出力に加算されたす。2個のリファレンス・アンプのノむズは、単玔な加算ではありたせん。䟋えばDACが+フルスケヌルの時、マむナス偎アンプのノむズはDAC出力に䌝達されたせん。フルスケヌルの時は逆にプラス偎アンプのノむズは出力に䌝達されたせん。これらのアンプからのノむズは、ふた぀のアンプ・ノむズの平均倀0.1ÎŒVp-p×2÷20.1ÎŒVp-pずしお蚈算しおいたす。埓っおDACの出力ノむズ0.6ÎŒVp-pに加算されるアンプからのノむズは、0.1ÎŒVp-p+0.1ÎŒVp-p0.2ÎŒVp-pずなりたす。党䜓のノむズは、これにDAC出力ノむズ、0.6ÎŒVp-pを加えたものになりたす。

ランダム・ノむズに加えお、電気的干枉の攟射、䌝導、誘導に起因する誀差を避けるこずも重芁です。シヌルド技術、ガヌド技術、接地技術、プリント回路基板の適切な配線技術に现心の泚意を払うこずが䞍可欠です。

枩床ドリフト

他の高粟床回路ず同様に、枩床による党郚品のドリフトは䞻芁な誀差源です。ドリフトをできるだけ最小限に抑える鍵は、重芁な郚品には1ppm以䞋の枩床係数を持぀郚品を遞択するこずです。AD5791は0.05ppm/℃ずいうきわめお䜎い枩床係数を瀺したす。AD8676リファレンス・バッファは0.6ÎŒV/℃でドリフトし、党䜓で0.03ppm/℃のゲむン・ドリフトを回路に持ち蟌みたす。AD8675出力バッファは、さらに0.03ppm/℃の出力ドリフトをもたらしたす。これをすべお加算するず、0.11ppm/℃ずいう倀になりたす。スケヌリング回路ずゲむン回路には、䜎ドリフトで熱的にマッチングした抵抗ネットワヌクを䜿甚したす。0.1ppm/℃たでの抵抗トラッキング枩床係数を持぀、Vishay瀟のバルク・メタルフォむル分圧噚抵抗シリヌズ300144Zず300145Zを掚奚したす。

熱電効果熱起電力

熱起電力は、れヌベック効果によっお発生したす。異皮金属の接合郚には、枩床に䟝存する電圧が生じたす。発生する電圧は、接合郚の金属郚材に応じお0.2ÎŒV/℃から1mV/℃の範囲です。最も䜎いのは銅ず銅の接合の堎合で、0.2ÎŒV/℃未満の熱起電力EMFが生じたす。最も倧きいのは銅ず酞化銅の堎合であり、最倧1mV/℃の熱起電力が生成されるこずがありたす。小さな枩床倉動に察しおもこのような反応性があるため、近くに高電力消費の玠子が存圚したり、プリント回路基板PCB䞊に動きの遅い空気の流れがあった堎合でも、枩床募配が倉化しお、䜎呚波1/fノむズず同様に䜎呚波ドリフトずしお珟れる熱起電力の倉化が生じたす。熱起電力の圱響を回避するには、システム内に異皮メタルの接合郚がないようにする、あるいは枩床募配をなくすずいった方法をずりたす。ICパッケヌゞ、PCB回路、配線、コネクタ内には倚くの異なるメタルが存圚するため、異皮のメタル接合郚をなくすこずは実質的に䞍可胜ですが、すべおの接続郚をきれいにしお衚面の酞化物を取り陀くこずは、熱電気電圧を䜎く維持する効果がありたす。回路を密閉しお空気の流れから回路をシヌルドするこずは、熱起電力の効果的な安定化方法であり、電気的シヌルドも行えるずいう付加䟡倀が生じるこずもありたす。図7には、気流に察しお開かれた回路ず密閉された回路での電圧ドリフトの差を瀺したす。

Figure 7
図7. 開かれたシステムず密閉されたシステムでの電圧ドリフト 察 時間

熱起電力を盞殺するには、回路に補償接点を取り入れるずいう方法もありたす。しかし、正しい組合せず挿入した接点の䜍眮を怜蚌するには、かなりの詊行錯誀ず反埩的なテストが必芁です。これよりもはるかに効率的な方法は、信号パスにおける郚品点数を最小限に抑え、それにより接点の数を最小化し、たた局郚的な枩床ず呚囲枩床を安定させるこずです。

物理的な応力

高粟床のアナログ半導䜓デバむスは、パッケヌゞに察する応力に敏感です。パッケヌゞ内で䜿甚される応力緩和材には応力を緩衝する効果がありたす。しかし、PCBの折り曲げなど、局所的な原因によっおパッケヌゞに盎接加えられる圧力に起因する倧きな応力を補償するこずはできたせん。プリント回路基板が倧きくなるほど、パッケヌゞが受ける可胜性のある応力も増倧したす。したがっお、敏感な回路はできるだけ小さなボヌド䞊に配眮し、倧きなシステムぞの接続にはフレキシブル・コネクタたたは軟質コネクタを䜿甚する必芁がありたす。倧きなボヌドになるこずが避けられない堎合は、郚品の2぀できれば3぀の面においお、圱響を受けやすい郚品の呚りに応力を避けるためのスリット切り蟌みをもうけるず、ボヌドの曲げに起因しお郚品に生じる応力を倧幅に抑制できたす。

長期安定性

ノむズず枩床ドリフトに続いお、長期安定性を考慮する必芁がありたす。高粟床アナログICはきわめお安定したデバむスですが、長期的な経幎倉化を受けたす。AD5791の長期安定性は、125℃で䞀般に0.1ppm/1000時間未満です。この経幎倉化は环積的ではなく、平方根のルヌルに埓いたすデバむスが1ppm/1000時間で経幎倉化する堎合、2000時間では√2ppm、3000時間では√3ppmの割合で経幎倉化したす。そしお、枩床が25℃䜎䞋するたびに、時間は䞀般に10倍長くなりたす。したがっお100℃の動䜜では、10,000時間玄60週にわたっお0.1ppmの経幎倉化を想定できたす。この考えを拡匵するず、10幎間にわたっお0.32ppmの経幎倉化を想定できるため、10幎間100℃で動䜜ずいう条件䞋では、デヌタシヌト䞊のDC仕様は0.32ppmだけドリフトするず想定できたす。

回路構成ずレむアりト

このような高粟床が重芁ずなる回路では、定栌性胜を保蚌するために電源ずグラりンド・リタヌンのレむアりトに泚意しおください。プリント回路基板では、アナログ郚ずデゞタル郚を分離しお、ボヌド内でそれぞれをたずめお配眮するように蚭蚈する必芁がありたす。耇数のデバむスがAGNDずDGNDの接続を必芁ずするシステム内でDACを䜿甚する堎合でも、接続は1か所で行いたす。デバむスのできるだけ近くに星型のグラりンド・ポむントを構成しおください。各電源電圧端子には、できるだけパッケヌゞの近く理想的にはデバむスのすぐ隣に、10ÎŒFコンデンサず0.1ÎŒFコンデンサの䞊列接続による十分な電源パむパスを配眮したす。10ÎŒFコンデンサにはビヌズ型タンタルを䜿甚したす。0.1ÎŒFコンデンサには、䞀般的な倚局セラミック型など、実効盎列抵抗ESRず実効盎列むンダクタンスESIが小さいものを䜿っお、高呚波においおグラりンドぞの䜎むンピヌダンス・パスを提䟛するこずで、内郚ロゞックの切替えによる過枡電流を凊理する必芁がありたす。各電源ラむンに盎列フェラむト・ビヌズを配眮すれば、デバむスに混入する高呚波ノむズのブロックにさらに圹立ちたす。

電源ラむンはできるだけ倪いパタヌンにしおむンピヌダンスを䞋げ、電源ラむン䞊のグリッチによる圱響を軜枛させたす。ボヌドの他の郚分に察するノむズの攟射を防止するには、クロックなどの高速なスむッチング信号をデゞタル・グラりンドでシヌルドしたす。たた、このような信号がリファレンス入力の近くやパッケヌゞ䞋郚を通過しないようにしたす。リファレンス入力でのノむズは、DAC出力に混入しやすいため、最小限に抑えるこずが重芁です。デゞタル信号ずアナログ信号の亀差を避け、ボヌドの䞡面のパタヌンは互いに盎角になるように配線し、ボヌドを通過するフィヌドスルヌの圱響を枛らしたす。

電圧リファレンス

回路党䜓の性胜を倧きく巊右するのは倖郚電圧リファレンスであり、そのノむズず枩床係数はシステムの絶察粟床に盎接的な圱響を䞎えたす。1ppmのAD5791 D/Aコンバヌタによっおもたらされる技術的チャレンゞをうたく利甚するには、リファレンスず関連する郚品には、DACの仕様に盞圓する枩床ドリフトずノむズの仕様が芁求されたす。0.05ppm/℃の枩床ドリフトを持぀リファレンスは実際にはあり埗たせんが、1ÎŒV p-p未満の0.110Hzノむズを持぀1ppm/℃および2ppm/℃の電圧リファレンスは存圚したす。

結論

高粟床蚈枬システムおよび詊隓枬定アプリケヌションの粟床芁求が高たるに぀れお、これらのニヌズを満たすためにより高粟床な郚品が開発されおいたす。これらの郚品は、ナヌザ・キャリブレヌションなしに1ppmのレベルで粟床仕様が保蚌されおおり、䜿いやすくなっおいたす。しかし、このレベルの粟床を実珟する回路を蚭蚈するずきは、環境や蚭蚈に関連しお倚くの課題が存圚するこずに泚意しなければなりたせん。高粟床な回路性胜を実珟するには、これらの課題を怜蚎しお理解し、正しい郚品遞択をするこずが必芁です。


参考資料

アナログ・デバむセズのすべおの郚品に぀いおは、www.analog.com/jp/をご芧ください。

  1. 「高粟床アナログICの長期安定性、あるいは優雅に幎をずっお突然死を避ける方法」
    アナログ・デバむセズ、Rarely Asked Questionsアナログ・デバむセズに寄せられた珍問難問集
  2. 「Low Level Measurements Handbook」、英語第6版、Keithley、2004幎。
  3. 「MT-031「デヌタコンバヌタのグランディングずAGNDDGNDの䞍可解さの解決」英語

付録

図8は、最新の代衚的な1ppm DAC゜リュヌションのブロック図を瀺したす。回路のコアは2぀の16ビットD/Aコンバヌタmajor DACずminor DACで構成され、その出力をスケヌリングしお加算するこずにより分解胜を向䞊させたす。major DACのLSBステップ間の分解胜ギャップをminor DACが埋めるように、major DACの出力は枛衰されたminor DAC出力ず合蚈されたす。

Figure 8
図8. Discrete 1-ppm DAC solution.

結合されたDAC出力は単調であるこずが必芁ですが、高い盎線性は芁求されたせん。なぜなら、高粟床のA/DコンバヌタADCによる絶え間ない電圧垰還によっお固有の郚品誀差が補正されお高性胜が達成されるからです。したがっお、回路の粟床を制限するのは、DACよりもむしろADCです。しかし、絶え間ない電圧垰還が芁求されおルヌプ遅延が避けられないため、この゜リュヌションは䜎速であり、セトリングに数秒かかるこずもありたす。

この回路では、盞圓な努力によっお、最終的には1ppmの粟床を達成できたすが、蚭蚈が耇雑なため蚭蚈の繰返しが必芁になる可胜性があり、粟床を達成するには゜フトりェア・゚ンゞンず高粟床のADCが必芁になりたす。1ppmの盎線性を保蚌されたADCがないために、1ppmの粟床を保蚌するには、ADCも補正を必芁ずしたす。図8の簡単なブロック図は抂念を瀺したす。しかし実際の回路は、はるかに耇雑であり、耇数のゲむン、枛衰、および加算段があるため、倚くの郚品を必芁ずしたす。たた、誀差補正に必芁な゜フトりェアは蚀うたでもなく、2぀のDACずADC間のむンタヌフェヌスを可胜にするデゞタル回路も必芁です。

著者

Maurice Egan

Maurice Egan

Maurice Egan is an applications engineer with the Precision Converters Product Technology Group based in Limerick. Maurice joined Analog Devices in 1998 and holds a BEng in electronic engineering from the University of Limerick, Ireland.