概览
优势和特点
- 极低电压噪声：1nV/√Hz（最大值，100Hz）
- 出色的电流增益匹配： 0.5%
- 低失调电压(VOS)：200 μV（最大值）
- 出色的失调电压漂移：0.03μV/ºC
- 高增益带宽积：200MHz
产品详情
SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。
该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 Ω）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。
电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制高阶放大器谐波失真。
基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。
TSSM2212同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外，由于晶体管对之间的VBE不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212的低VOS无需进行失调调整。SSM2212可在-40ºC至85ºC的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
工具及仿真模型
SPICE模型
设计资源
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PCN-PDN信息
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