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概览

优势和特点

  • 极低电压噪声:1nV/√Hz(最大值,100Hz)
  • 出色的电流增益匹配: 0.5%
  • 低失调电压(VOS):200 μV(最大值)
  • 出色的失调电压漂移:0.03μV/ºC
  • 高增益带宽积:200MHz

产品详情

SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对,专门针对超低噪声音频系统而设计。

该器件具有极低的输入基极分布电阻(rbb典型值为28 Ω)和高电流增益(IC= 1 mA时,hFE典型值超过600),可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比,它拥有卓越的性能。

电流增益的匹配(ΔhFE约为0.5%)且VOS低于50 μV(典型值),这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择,可抑制高阶放大器谐波失真。

基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。

TSSM2212同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外,由于晶体管对之间的VBE不匹配时,电流镜的精度会呈指数级下降,因此,在多数电路应用中,SSM2212的低VOS无需进行失调调整。SSM2212可在-40ºC至85ºC的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。

产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

工具及仿真模型

SPICE模型

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