MAT02S
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MAT02S

航空航天用低噪声、双通道匹配NPN晶体管

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产品详情
特性
  • 低失调电压:50µV(最大值)
  • 低噪声电压(100 Hz、1 mA):1.0 nV/√Hz(最大值)
  • 高增益(hFE):
    500(最小值,IC = 1 mA)
    300(最小值,IC = 1 µA)
  • 出色的对数一致性:
    rBE约为0.3 Ω
  • 低失调电压漂移
  • LM194的改良版,可直接替代

更多细节
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MAT02系列NPN双通道单芯片晶体管的设计经过优化,提供极低噪声、低漂移和低rBE特性。ADI公司专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数能在宽温度范围和长时间内保持稳定。此外,MAT02能够在宽集电极电流范围内保持高电流增益(hFE)。MAT02的优异特性包括失调电压最大值仅50µV。保证器件性能的额定温度范围为军用温度范围。

发射极-基极结上提供了输入保护二极管,防止器件特性因为发射极电流反向偏置而下降。保护二极管形成的寄生隔离结将基板箝位在发射极最低负电压,从而在晶体管之间实现完全隔离。

MAT02适用于任何优先考虑低噪声要求的应用。它可以用作输入级,使放大器的噪声电压在100 Hz时小于1.0 nV/Hz。其它应用,如对数和反对数电路等,则可以使用MAT02的出色对数一致性。体电阻典型值仅有0.3 - 0.4 Ω。当集电极电流在1µA至10mA范围时,MAT02的电气特性接近于理想晶体管。

产品技术资料帮助

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ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
MAT020000C
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- 13_0163

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11月 9, 2011

- 11_0050

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11月 9, 2011

- 11_0182

Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines

6月 1, 2011

- 11_0088

Top and Bottom Mark Standardization for Certain LCC (Leadless Chip Carrier) and Metal Can Packages

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