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特性
- 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值）
- 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值）
- 高hFE： 500（最小值）
- 出色的hFE线性度：从10 nA至10 mA
- 低噪声电压： 0.23 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz）
- 高击穿电压： 45 V（最小值）
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MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。
该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。
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MAT01
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参考资料
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| MAT01AH |
6-Lead TO-78
|
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| MAT01AHZ |
6-Lead TO-78
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| MAT01GH |
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| MAT01GHZ |
6-Lead TO-78
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PCN
11月 9, 2011
- 11_0050
Transfer of ADI Hermetics Assembly location from Paranaque, Manila to General Trias, Cavite Philippines
MAT01AH
MAT01AHZ
MAT01GH
MAT01GHZ
11月 9, 2011
- 11_0182
Test Site Transfer from Analog Devices Philippines Inc in Paranaque to Analog Devices General Trias in Cavite, Philippines
MAT01AH
MAT01AHZ
MAT01GH
MAT01GHZ
6月 1, 2011
- 11_0088
Top and Bottom Mark Standardization for Certain LCC (Leadless Chip Carrier) and Metal Can Packages
MAT01AH
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