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MAT01: Matched Monolithic Dual Transistor Data Sheet (Rev. D)10/30/1973PDF873 kB
概览
优势和特点
- 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值）
- 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值）
- 高hFE： 500（最小值）
- 出色的hFE线性度：从10 nA至10 mA
- 低噪声电压： 0.23 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz）
- 高击穿电压： 45 V（最小值）
产品详情
MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。
该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。
产品生命周期
新设计不推荐使用本产品
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参考资料
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AN-139: A Low Voltage Power Supply Watch-Dog Monitor Circuit3/8/2008PDF105 kB
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| MAT01AH | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead TO-78 | |
| MAT01AHZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead TO-78 | |
| MAT01GH | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead TO-78 | |
| MAT01GHZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead TO-78 | |
| Wafer Fabrication Data |
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