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MAT01

不推荐用于新设计

匹配单芯片双通道晶体管

数据手册 (Rev. D) 产品选型表
产品技术资料帮助

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概述

  • 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值）
  • 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值）
  • 高hFE： 500（最小值）
  • 出色的hFE线性度：从10 nA至10 mA
  • 低噪声电压： 0.23 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz）
  • 高击穿电压： 45 V（最小值）

MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。

该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。
MAT01
匹配单芯片双通道晶体管
MAT01 Pin Configuration
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