HMC8192

20 GHz至42 GHz，宽带I/Q混频器

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概述

无源宽带I/Q混频器
RF和LO范围：20 GHz至42 GHz
宽IF带宽：DC至5 GHz
单端RF、LO和IF
转换损耗：9 dB（典型值，20 GHz至32 GHz）
镜像抑制：25 dBc（典型值，20 GHz至32 GHz）
噪声系数：12 dB（典型值）
输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
输入P1dB（下变频器）压缩：17 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）

输入IP2：55 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
LO至RF隔离：42 dB，20 GHz至32 GHz
LO至IFx隔离：45 dB，20 GHz至32 GHz
RF至IF隔离：35 dB，20 GHz至32 GHz
幅度平衡：±1 dB（典型值）
相位平衡（下变频器）：±8°（典型值）
RF回波损耗：12 dB（典型值）
LO回波损耗：10 dB（典型值）
IFx回波损耗：20 dB（典型值）
裸露焊盘、4.00 mm × 4.00 mm、25引脚LGA_CAV封装

HMC8192LG是一款无源、宽带、同相/正交(I/Q)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8192LG具有20 GHz至42 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8192LG可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8192LG的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，而无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，HMC8192LG无需任何直流电源。相比有源混频器，HMC8192LG提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8192LG采用砷化镓(GaAs)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90°混合器件。HMC8192LG提供紧凑型、4.00 mm × 4.00 mm、25引脚基板栅格阵列腔(LGA_CAV)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8192LG评估板EV1HMC8192LG还可通过ADI公司网站获得。

应用