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概览

优势和特点

  • 无源宽带I/Q混频器
  • RF和LO范围:20 GHz至42 GHz
  • 宽IF带宽:DC至5 GHz
  • 单端RF、LO和IF
  • 转换损耗:9 dB(典型值,20 GHz至32 GHz)
  • 镜像抑制:25 dBc(典型值,20 GHz至32 GHz)
  • 噪声系数:12 dB(典型值)
  • 输入IP3(下变频器):24 dBm(典型值,20 GHz至32 GHz)
  • 输入P1dB(下变频器)压缩:17 dBm(典型值,20 GHz至32 GHz)
  • 输入IP2:55 dBm(典型值,20 GHz至32 GHz)
  • LO至RF隔离:42 dB,20 GHz至32 GHz
  • LO至IFx隔离:45 dB,20 GHz至32 GHz
  • RF至IF隔离:35 dB,20 GHz至32 GHz
  • 幅度平衡:±1 dB(典型值)
  • 相位平衡(下变频器):±8°(典型值)
  • RF回波损耗:12 dB(典型值)
  • LO回波损耗:10 dB(典型值)
  • IFx回波损耗:20 dB(典型值)
  • 裸露焊盘、4.00 mm × 4.00 mm、25引脚LGA_CAV封装

产品详情

HMC8192LG是一款无源、宽带、同相/正交(I/Q)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8192LG具有20 GHz至42 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽,非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8192LG可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8192LG的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力,而无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能,并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器,HMC8192LG无需任何直流电源。相比有源混频器,HMC8192LG提供较低的噪声系数,从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8192LG采用砷化镓(GaAs)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,使用ADI公司的混频器单元和90°混合器件。HMC8192LG提供紧凑型、4.00 mm × 4.00 mm、25引脚基板栅格阵列腔(LGA_CAV)封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8192LG评估板EV1HMC8192LG还可通过ADI公司网站获得。

应用

  • 测试与测量仪器仪表
  • 军事、雷达、航空航天和防务应用
  • 微波点对点基站

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

设计资源

ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
HMC8192 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
HMC8192-SX 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
HMC8192LG 材料声明 质量和可靠性 25-Lead LGA_CAV (4mm x 4mm x 1.55mm)
HMC8192LGTR 材料声明 质量和可靠性 25-Lead LGA_CAV (4mm x 4mm x 1.55mm)
Wafer Fabrication Data

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