HMC755

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1 W功率放大器，采用SMT封装，2.3 - 2.8 GHz

数据手册 产品选型表
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概述

  • 高增益： 31 dB
  • 高PAE： 28% (+33 dBm Pout) t
  • 低EVM： 2.5% (Pout = +25 dBm)，具有54 Mbps OFDM信号
  • 高输出IP3： +43 dBm
  • 集成式检波器和功率控制
  • 24引脚4x4mm QFN封装： 16mm


HMC755LP4E是一款高增益、高线性度GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为2.3至2.8 GHz。 该放大器采用+5V单电源，增益为31 dB，饱和功率为+33 dBm。 功率控制引脚(VEN1, 2, 3)可用于降低RF输出功率/静态电流，或用于全省电模式PA控制。集成式输出功率检波器(VDET)内部耦合，无需外部元件。 对于+25 dBm OFDM输出功率(64 QAM, 54 Mbps)，HMC755LP4E可实现仅为2.5%的误差矢量幅度(EVM)，使其非常适合WiMAX/LTE/4G应用。 该放大器采用紧凑型QFN SMT封装，只需极少的外部匹配元件。

应用

  • 蜂窝/3G和LTE/4G
  • WiMAX、WiBro和固定无线
  • 军事和SATCOM
  • 测试设备

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1 W功率放大器，采用SMT封装，2.3 - 2.8 GHz
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评估套件
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