HMC7441
推荐用于新设计GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器，27.5 - 31 GHz
- 产品模型
- 2
概述
- 饱和输出功率：
++34 dBm (25% PAE) - 高输出IP3： +38 dBm
- 高增益： 23 dB
- 直流电源： +6V (1,000 mA)
- 无需外部匹配
- 芯片尺寸： 3.18 x 2.84 x 0.1 mm
HMC7441是一款三级GaAs pHEMT功率放大器，工作频率范围为27.5至31 GHz。 该放大器的增益为23 dB，饱和输出功率为+34 dBm，PAE为25%，电源电压为6V。 HMC7441提供+38 dBm的出色输出IP3性能，非常适合线性应用，比如Ka频段VSAT、高容量点对点或点对多点无线电——这类应用要求具有+34 dBm的高效饱和输出功率。 RF I/O隔直并匹配至50 Ω，可以方便集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过一条直径为0.025mm (1 mil)、长度为0.31 mm (12 mil)的焊线连接。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- VSAT和SATCOM
- 军事和太空
参考资料
数据手册 1
应用笔记 4
技术文章 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC7441 | CHIPS OR DIE | ||
| HMC7441-SX | CHIPS OR DIE |
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Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
打开工具S-参数 1
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