HMC618
过期GaAs SMT pHEMT低噪声放大器，采用SMT封装，1.2 - 2.2 GHz
- 产品模型
- 1
产品详情
- 噪声系数： 0.75 dB
- 增益： 19 dB
- 输出IP3： 36 dBm
- 单电源： +3V至+5V
- 50 Ω匹配输入/输出
- 16引脚3x3mm QFN封装： 9 mm²
HMC618ALP3E是一款GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合蜂窝/3G和LTE/4G基站前端接收机，工作频率范围为1.2 - 2.2 GHz。 该放大器经过优化，采用+5V单电源时提供0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。 提供出色的输入和输出回损性能，LNA仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC618ALP3E与HMC617LP3E 0.55 - 1.2 GHz LNA具有相同的封装和引脚排列。 HMC618ALP3E可在+3V与+5V之间进行偏置，提供外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 HMC618ALP3E的噪声系数性能相比之前发布的HMC375LP3(E)和HMC382LP3(E)更优。
应用
- 蜂窝/3G和LTE/4G
- BTS和基础设施
- 中继器和毫微微蜂窝
- 公共安全无线电
推荐替代产品
GaAs SMT pHEMT低噪声放大器SMT，1.2 - 2.2 GHz
参考资料
应用笔记 1
评估设计文件 1
停产数据手册 1
质量文档 4
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC618LP3ETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
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| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| HMC618A | 推荐新设计使用 | GaAs SMT pHEMT低噪声放大器SMT，1.2 - 2.2 GHz |
工具及仿真模型
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
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