HMC618
过期GaAs SMT pHEMT低噪声放大器，采用SMT封装，1.2 - 2.2 GHz
概述
- 噪声系数： 0.75 dB
- 增益： 19 dB
- 输出IP3： 36 dBm
- 单电源： +3V至+5V
- 50 Ω匹配输入/输出
- 16引脚3x3mm QFN封装： 9 mm²
HMC618ALP3E是一款GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合蜂窝/3G和LTE/4G基站前端接收机，工作频率范围为1.2 - 2.2 GHz。 该放大器经过优化，采用+5V单电源时提供0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。 提供出色的输入和输出回损性能，LNA仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC618ALP3E与HMC617LP3E 0.55 - 1.2 GHz LNA具有相同的封装和引脚排列。 HMC618ALP3E可在+3V与+5V之间进行偏置，提供外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 HMC618ALP3E的噪声系数性能相比之前发布的HMC375LP3(E)和HMC382LP3(E)更优。
应用
- 蜂窝/3G和LTE/4G
- BTS和基础设施
- 中继器和毫微微蜂窝
- 公共安全无线电
推荐替代产品
GaAs SMT pHEMT低噪声放大器SMT，1.2 - 2.2 GHz
参考资料
应用笔记 1
评估设计文件 1
停产数据手册 1
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| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| HMC618A | 推荐用于新设计 | GaAs SMT pHEMT低噪声放大器SMT，1.2 - 2.2 GHz |
工具及仿真模型
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
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