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特性
下变频器
- 转换损耗
- 24 GHz 至 29 GHz 时为 9 dB(典型值)
- 29 GHz 至 38 GHz 时为 11 dB(典型值)
- LO 到 RF 隔离
- 24 GHz 至 29 GHz 时为 40 dB(典型值)
- 29 GHz 至 38 GHz 时为 38 dB(典型值)
- LO 到 IF 隔离
- 24 GHz 至 29 GHz 时为 27 dB(典型值)
- 29 GHz 至 38 GHz 时为 44 dB(典型值)
- RF 到 IF 隔离
- 24 GHz 至 29 GHz 时为 20 dB(典型值)
- 29 GHz 至 38 GHz 时为 28 dB(典型值)
- 输入 IP3
- 24 GHz 至 29 GHz 时为 18 dBm(典型值)
- 29 GHz 至 38 GHz 时为 19 dBm(典型值)
- IF 带宽:直流至 18 GHz
- 无源,不需要直流偏置
HMC560A 芯片是砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、双平衡混频器,可以在较小的芯片面积内用作 24 GHz至38 GHz 的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
HMC560采用经过优化的巴伦结构,提供出色的本振(LO)至RF及 LO至中频(IF)抑制性能,分别为40 dB和44 dB。混频器的LO幅度为9 dBm至15 dBm。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和小型卫星地面站(VSAT)无线电
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
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HMC560A
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参考资料
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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HMC560A | CHIPS OR DIE |
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HMC560A-SX | CHIPS OR DIE |
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HMC560ALM3 | 6-Lead LGA_CAV (5.08mm x 5.08mm) |
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HMC560ALM3TR | 6-Lead LGA_CAV (5.08mm x 5.08mm) |
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- HMC560A
- 引脚/封装图-中文版
- CHIPS OR DIE
- 文档
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
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- HMC560A-SX
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- CHIPS OR DIE
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- HMC560ALM3
- 引脚/封装图-中文版
- 6-Lead LGA_CAV (5.08mm x 5.08mm)
- 文档
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- HMC560ALM3TR
- 引脚/封装图-中文版
- 6-Lead LGA_CAV (5.08mm x 5.08mm)
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