HMC558
HMC558/HMC558LC3B
GaAs单芯片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器芯片和表面贴装技术(SMT)，5.5 GHz至14.0 GHz
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概述
- 高本振(LO)射频(RF)隔离： 45 dBm
- 无源双平衡拓扑结构
- 低转换损耗： 7 dB
- 宽中频(IF)带宽： DC至6 GHz
- 小尺寸(HMC558)： 0.91 mm × 0.94 mm × 0.1 mm
- 12引脚陶瓷3 mm × 3 mm SMT封装(HMC558LC3B)： 9 mm2
HMC558器件为无源(HMC558)和通用型(HMC558LC3B)双平衡混频器，采用芯片(HMC558)和符合RoHS 标准的无引脚SMT封装(HMC558LC3B)，二者均可用作5.5 GHz至14.0 GHz频率范围的上变频器或下变频器。 这些混频器采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。 对巴伦结构进行优化后，HMC558G器件提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能，采用低至9 dBm的LO驱动电平工作。 采用安装在50 Ω测试夹具中的HMC558芯片进行测量，包括焊线元件的寄生效应。 采用最小长度(<12 mil)的1 mil焊线连接。 符合RoHS标准的HMC558LC3B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。
应用
- 微波无线电
- 军用最终用途
- 太空
- 通信、雷达和电子战(EW)
- 测试设备和传感器
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
参考资料
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| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| HMC558A |
GaAs MMIC基波混频器，5.5 - 14.0 GHz |
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S-参数 1
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