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特性
  • 1 dB LSB步进至15 dB
  • 步长误差：±0.2 dB（典型值）
  • 低插入损耗： 1 dB
  • 高IP3： +50 dBm
  • 每位单个控制线路
  • TTL/CMOS兼容控制
  • +5V单电源
  • 3x3 mm SMT封装


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HMC540LP3(E)是一款宽带4位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 工作频率范围DC到5.5 GHz，插入损耗低于1 dB典型值。 对于15 dB的总衰减，衰减器位值为1 (LSB)、2、4和8 dB。 它具有出色的衰减精度，典型步长误差为± 0.2 dB。 衰减器还具有+50 dBm IP3。 四位TTL/CMOS控制输入用于选择各衰减状态。 需+5V Vdd单偏置。

应用

  • 蜂窝基础设施
  • ISM, MMDS, WLAN, WiMAX, WiBro 
  • 微波无线电和VSAT
  • 测试设备和传感器

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HMC540

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更新 09/11/2015
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参考资料

质量文档 4

Semiconductor Qualification Test Report: MESFET-F (QTR: 2013-00247)
Package/Assembly Qualification Test Report: LP2, LP2C, LP3, LP3B, LP3C, LP3D, LP3F, LP3G (QTR: 2014-0364)
Package/Assembly Qualification Test Report: 16L 3x3mm QFN Package (QTR: 11003 REV: 02)
Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated QFN (QTR: 05006 REV: 02)

磁带和卷轴规格 1

LP3, LC3, LC3B Tape and Reel Outline Dimensions

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC540LP3 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) external-link
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HMC540LP3E 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) external-link
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HMC540LP3ETR 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) external-link
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HMC540LP3TR 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) external-link
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PCN

12月 14, 2015

- 15_0026

Discontinuance of Select Hittite Microwave Products (HMC) from Analog Devices

HMC540LP3

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