概览
优势和特点
- 高输出功率： +13 dBm
- 低输入功率驱动： 0至+6 dBm
- 5Fo谐波隔离： +25 dBc
- 7Fo谐波隔离： +40 dBc
- 裸片尺寸： 2.44 x 1.35 x 0.1 mm
产品详情
HMC1110是一款采用GaAs pHEMT技术制造而成的x6有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在71至86 GHz范围内提供+13 dBm的典型输出功率。 相对于输出信号电平，5Fo和7Fo谐波隔离分别为+25 dBc和+40dBc。 HMC1110非常适合用于点对点和VSAT无线电应用的LO倍频链，与使用分立式元件的传统方法相比，通过集成输入和输出放大器减少了器件数量。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
- 点对点和VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 军事和太空
- 传感器
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
参考资料
-
RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC1110 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC1110-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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