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概览

优势和特点

  • 高输出功率: +13 dBm
  • 低输入功率驱动: 0至+6 dBm
  • 5Fo谐波隔离: +25 dBc
  • 7Fo谐波隔离: +40 dBc
  • 裸片尺寸: 2.44 x 1.35 x 0.1 mm

产品详情

HMC1110是一款采用GaAs pHEMT技术制造而成的x6有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时,该倍频器在71至86 GHz范围内提供+13 dBm的典型输出功率。 相对于输出信号电平,5Fo和7Fo谐波隔离分别为+25 dBc和+40dBc。 HMC1110非常适合用于点对点和VSAT无线电应用的LO倍频链,与使用分立式元件的传统方法相比,通过集成输入和输出放大器减少了器件数量。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。

应用

  • 点对点和VSAT无线电
  • 测试仪器仪表
  • 军事和太空
  • 传感器

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

设计资源

ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
HMC1110 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
HMC1110-SX 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
Wafer Fabrication Data

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