HMC-MDB218

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次谐波I/Q混频器/IRM芯片，54 - 64 GHz

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概述

  • 宽IF带宽： DC - 3 GHz
  • RF频率： 54至64 GHz
  • LO频率 27至32 GHz
  • 高镜像抑制： 30 dB
  • 无源；无需直流偏置
  • 裸片尺寸： 1.54 x 1.41 x 0.1 mm

HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。

所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。

应用

  • 短程/高容量无线电
  • 卫星通信
  • 军用雷达、ECM和EW
  • 传感器
  • 测试和测量设备

HMC-MDB218
次谐波I/Q混频器/IRM芯片，54 - 64 GHz
HMC-MDB218 Functional Block Diagram
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