DS1270W

3.3V、16Mb非易失SRAM

3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量

数据手册 (Rev. 3)

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产品详情

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

参考资料

数据手册 2

DS1270W: 3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.3) 11/09/2010

DS1270W: 3.3V、16Mb非易失SRAM Data Sheet 01/01/1900

可靠性数据 1

DS1270W Reliability Data 01/12/2023

设计笔记 3

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n 07/24/2011

Timing Considerations When Using NVSRAM 03/20/2006

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

这是最新版本的数据手册

硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
产品 2
DS1249W		3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1265W		3.3V、8Mb非易失SRAM
非易失性SRAM 5
DS1270Y	推荐新设计使用	16M非易失SRAM
DS1270AB	推荐新设计使用	16M非易失SRAM

DS1230W	量产	3.3V、256k非易失SRAM
DS1245W	量产	3.3V、1024k非易失SRAM
DS1250W	量产	3.3V、4096k非易失SRAM

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