DS1270W

3.3V、16Mb非易失SRAM

3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量

数据手册 (Rev. 3)
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概述

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

应用

  • 自动测试设备(ATE)
  • 水电气表自动抄表
  • 楼宇能源管理(HVAC)
  • 电缆调制解调器
  • 计算机：台式机、工作站和服务器
  • 数字电视(接收机，机顶盒)
  • 调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
  • 网络集线器、交换机和路由器
  • 笔记本电脑
  • 示波器
  • 打印机与传真机
  • 可编程逻辑控制器
  • 存储系统
  • 测试与测量设备
DS1270W
3.3V、16Mb非易失SRAM
DS1270W：引脚分配
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参考资料

数据手册 2

可靠性数据 1

设计笔记 3

技术文章 1

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硬件生态系统

部分模型 产品周期 描述
存储器和数据记录器 7
DS1270Y
推荐用于新设计 16M非易失SRAM
DS1270AB
推荐用于新设计 16M非易失SRAM
DS1230W
量产 3.3V、256k非易失SRAM
DS1245W
量产 3.3V、1024k非易失SRAM
DS1249W
3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1250W
量产 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1265W
3.3V、8Mb非易失SRAM
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