DS1265W

3.3V、8Mb非易失SRAM

数据手册 (Rev. 3)

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产品详情

在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

参考资料

数据手册 2

DS1265W: 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.3) 11/05/2010
- DS1265W: Errata Sheet

DS1265W: 3.3V、8Mb非易失SRAM Data Sheet 01/01/1900
- DS1265W: Errata Sheet

可靠性数据 1

DS1265W Reliability Data 01/12/2023

设计笔记 4

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n 07/24/2011

Timing Considerations When Using NVSRAM 03/20/2006

Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM 09/11/2008

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

这是最新版本的数据手册

硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
存储器和数据记录器 7
DS1265Y	推荐用于新设计	8M非易失SRAM
DS1265AB	推荐用于新设计	8M非易失SRAM
DS1230W	量产	3.3V、256k非易失SRAM
DS1245W	量产	3.3V、1024k非易失SRAM

DS1249W		3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1250W	量产	3.3V、4096k非易失SRAM
DS1270W		3.3V、16Mb非易失SRAM

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