DS1265Y
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DS1265Y

8M非易失SRAM

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产品详情
产品模型 2
特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1265Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
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DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

产品模型 2

产品技术资料帮助

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参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
DS1265Y-70+
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DS1265Y-70IND+
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