DS1249W

3.3V、2048kb非易失SRAM

数据手册 (Rev. 3)
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  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
    DS1249W
    3.3V、2048kb非易失SRAM
    DS1249W：引脚分配
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    参考资料

    数据手册 2

    可靠性数据 1

    设计笔记 3

    技术文章 1

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    硬件生态系统

    部分模型 产品周期 描述
    产品 2
    DS1265W
    		3.3V、8Mb非易失SRAM
    DS1270W
    		3.3V、16Mb非易失SRAM
    非易失性SRAM 5
    DS1249Y
    		推荐新设计使用 2048k非易失SRAM
    DS1249AB
    		推荐新设计使用 2048k非易失SRAM
    DS1230W
    		量产 3.3V、256k非易失SRAM
    DS1245W
    		量产 3.3V、1024k非易失SRAM
    DS1250W
    		量产 3.3V、4096k非易失SRAM
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