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3.3V、2048kb非易失SRAM

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DS1249W: 3.3V、2048kb非易失SRAM Data Sheet

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特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
    • 更多细节
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    DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

    应用

    • 自动测试设备(ATE)
    • 水电气表自动抄表
    • 楼宇能源管理(HVAC)
    • 电缆调制解调器
    • 计算机：台式机、工作站和服务器
    • 数字电视(接收机，机顶盒)
    • 调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
    • 网络集线器、交换机和路由器
    • 笔记本电脑
    • 示波器
    • 打印机与传真机
    • 可编程逻辑控制器
    • 存储系统
    • 测试与测量设备
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    DS1249W

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    数据手册

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    更新 11/23/2010
    英文

    DS1249W: 3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.3)

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    更新 01/01/1900
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    更新 01/01/1900
    日文

    DS1249W: 3.3V、2048kb不揮発性SRAM Data Sheet

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    可靠性数据

    1

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    更新 01/12/2023
    英文
    DS1249W Reliability Data redirect icon

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    技术文章

    1

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    更新 05/14/2002
    英文
    NV SRAM Frequently Asked Questions redirect icon

    设计笔记

    6

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    更新 01/12/2011
    英文
    Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components redirect icon

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    HTML

    更新 04/27/2011
    中文
    非易失存储器的替代规则 redirect icon

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    HTML

    更新 03/14/2011
    英文
    Lithium Battery Content in Maxim Products redirect icon

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    更新 07/24/2011
    中文
    Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n redirect icon

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    更新 03/14/2011
    日文
    マキシム製品におけるリチウムバッテリ redirect icon

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    更新 03/20/2006
    英文
    Timing Considerations When Using NVSRAM redirect icon

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