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2666: 2048k非易失SRAM Data Sheet (Rev. 3)1/1/1900PDF208K
概览
优势和特点
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- 70ns的读写存取时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10% VCC工作范围(DS1249Y)
- 可选择±5% VCC工作范围(DS1249AB)
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- JEDEC标准的32引脚DIP封装
产品详情
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
产品分类
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
参考资料
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Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n7/24/2011
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非易失存储器的替代规则4/27/2011
-
Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM9/11/2008
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Timing Considerations When Using NVSRAM3/20/2006
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NV SRAM Frequently Asked Questions5/14/2002
设计资源
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