DS1250W

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3.3V、4096k非易失SRAM

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概述

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸

DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250W器件可以用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1250W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

DS1250W
3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W：引脚分配
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