DS1270AB
推荐用于新设计16M非易失SRAM
- 产品模型
- 1
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概述
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
- 掉电期间数据被自动保护
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- 70ns的读写存取时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10% VCC工作范围(DS1270Y)
- 可选择±5% VCC工作范围(DS1270AB)
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
参考资料
数据手册 2
设计笔记 4
技术文章 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| DS1270AB-100# | Encapsulated Dual-In-Line Module |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
10月 2, 2015 - 1479L ASSEMBLY |
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| DS1270AB-100# | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
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