概览
优势和特点
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率 SPDT 开关
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 32 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 16 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.45 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.45 dB（典型值）
- 高隔离
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：52 dB（典型值）
- 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.65 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：40 dBm
- 单一事件（<10 秒运行）
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
- 整个生命周期
- 高 OIP3：32 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V 时为 86 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
产品详情
ADRF5545A 是一款双通道集成式射频 (RF) 前端多芯片模块，专为工作频率为 2.4 GHz 至 4.2 GHz 的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5545A 采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下，级联两级 LNA 和开关提供 1.45 dB 的低噪声指数 (NF) 和 32 dB 的高增益（频率为 3.6 GHz）以及 32 dBm（典型值）的输出 3 阶交调点 (OIP3)。在低增益模式下，两级 LNA 的一级处于旁路状态，在 36 mA 的较低电流下提供 16 dB 的增益。在关断模式下，LNA 将关闭，器件流耗为 12 mA。
在发射过程中，当 RF 输入连接到端电极引脚（TERM-ChA 或 TERM-ChB）时，该开关提供 0.65 dB 的低插入损耗，并在整个生命周期内处理 40 dBm 的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)），而在单一事件（<10 秒）LNA 保护模式下为 43 dBm。
该器件采用符合 RoHS 标准的紧凑型 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装。
应用
- 无线基础设施
- TDD 大规模多输入和多输出以及有源天线系统
- 基于 TDD 的通信系统
产品分类
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
-
UG-1589: ADRF5545A-EVALZ User Guide (Rev. 0)5/31/2019PDF330 K
-
RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
-
ADI公司适用于5G的硅(SOI) RF前端解决方案10/18/2019
-
ADI的RF前端系列支持实现紧凑型5G大规模MIMO网络无线电9/1/2019
-
用于实现O-RAN无线解决方案的5G技术设备7/1/2021
-
5G Open RAN架构、解决方案和ADI最新的收发器的简介6/10/2021
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5545A S-Parameters
792.17 K
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADRF5545ABCPZN | 材料声明 | 质量和可靠性 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | |
| ADRF5545ABCPZN-R7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | |
| ADRF5545ABCPZN-RL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | |
| Wafer Fabrication Data |
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