ADRF5422
推荐用于新设计载体上裸片,硅单刀双掷交换芯片,非反射,100 MHz 至 55 GHz
- 产品模型
- 3
概述
- 超宽带频率范围:100 MHz 至 55 GHz
- 非反射设计
- 低插入损耗
- 18 GHz 时为 1.3 dB
- 40 GHz 时为 1.9 dB
- 50 GHz 时为 2.5 dB
- 55 GHz 时为 3.6 dB
- 高隔离
- 40 GHz 时为 43 dB
- 55 GHz 时为 38 dB
- 高输入线性度
- 0.1 dB 功率压缩 (P0.1dB):31 dBm
- 3 阶交调点 (IP3):53 dBm
- TCASE = 85°C 时具有高功率处理能力
- 30 dBm 直通路径
- 24 dBm 终止路径
- 30 dBm 热切换
- RF 建立时间(0.1 dB 最终 RF 输出):30 ns
- 无低频杂散信号
- 全关断状态控制
- 正向控制接口:与 CMOS/LVTTL 兼容
- 15 焊盘,3.021 mm × 2.305 mm 裸片 [芯片]
ADRF5422 是一款非反射式 SPDT 开关,采用硅工艺制造,安装在砷化镓 (GaAs) 载体基板上。基板包含用于芯片和线路组装的键合焊盘。该套件的底部是金属化的,并连接到接地。
该设备的工作频率为 100 MHz 至 55 GHz,典型插入损耗为 3.6 dB,55 GHz 时的隔离度为 38 dB。ADRF5422 的 RF 输入功率处理能力为:直通路径 30 dBm、端接路径 24 dBm 和热切换 30 dBm。
ADRF5422 需要 +3.3 V 正电源和 −3.3 V 负电源。该器件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。
ADRF5422 可在施加单个正电源电压 (VDD) 的情况下工作,同时负电源电压 (VSS) 连接到地。在这种工作条件下,当降低开关特性、线性度和功率处理性能时,仍可保持小信号性能。
ADRF5422 设计为匹配 50 Ω 的特性阻抗,可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
- 测试和仪器仪表
- 蜂窝基础设施:5G 毫米波(mmW)
- 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
- 工业扫描仪
参考资料
数据手册 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADRF5422BCZ | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5422BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5422BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
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