ADRF5422

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载体上裸片,硅单刀双掷交换芯片,非反射,100 MHz 至 55 GHz

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概述

  • 超宽带频率范围:100 MHz 至 55 GHz
  • 非反射设计
  • 低插入损耗
    • ​18 GHz 时为 1.3 dB
    • ​40 GHz 时为 1.9 dB
    • ​50 GHz 时为 2.5 dB
    • ​55 GHz 时为 3.6 dB
  • 高隔离
    • ​40 GHz 时为 43 dB
    • ​55 GHz 时为 38 dB
  • 高输入线性度
    • 0.1 dB 功率压缩 (P0.1dB):31 dBm
    • 3 阶交调点 (IP3):53 dBm
  • TCASE = 85°C 时具有高功率处理能力
    • 30 dBm 直通路径
    • 24 dBm 终止路径
    • 30 dBm 热切换
  • RF 建立时间(0.1 dB 最终 RF 输出):30 ns
  • 无低频杂散信号
  • 全关断状态控制
  • 正向控制接口:与 CMOS/LVTTL 兼容
  • 15 焊盘,3.021 mm × 2.305 mm 裸片 [芯片]

ADRF5422 是一款非反射式 SPDT 开关,采用硅工艺制造,安装在砷化镓 (GaAs) 载体基板上。基板包含用于芯片和线路组装的键合焊盘。该套件的底部是金属化的,并连接到接地。

该设备的工作频率为 100 MHz 至 55 GHz,典型插入损耗为 3.6 dB,55 GHz 时的隔离度为 38 dB。ADRF5422 的 RF 输入功率处理能力为:直通路径 30 dBm、端接路径 24 dBm 和热切换 30 dBm。

ADRF5422 需要 +3.3 V 正电源和 −3.3 V 负电源。该器件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。

ADRF5422 可在施加单个正电源电压 (VDD) 的情况下工作,同时负电源电压 (VSS) 连接到地。在这种工作条件下,当降低开关特性、线性度和功率处理性能时,仍可保持小信号性能。

ADRF5422 设计为匹配 50 Ω 的特性阻抗,可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。

应用

  • 测试和仪器仪表
  • 蜂窝基础设施:5G 毫米波(mmW)
  • 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
  • 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
  • 工业扫描仪

ADRF5422
载体上裸片,硅单刀双掷交换芯片,非反射,100 MHz 至 55 GHz
ADRF5422 Functional Block Diagram ADRF5422 Pin Configuration ADRF5422 Chip Illustration
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