ADRF5420
推荐用于新设计倒装芯片硅单刀双掷开关,频率范围 1 GHz 至 90 GHz
- 产品模型
- 2
概述
- 频率范围:1GHz 至 90GHz
- 低插入损耗
- 1.2dB(典型值)至 40GHz
- 1.7dB(典型值)至 67 GHz
- 3.0dB 典型值至 90 GHz
- 高隔离度
- 典型值 42dB,频率高达 40GHz
- 典型值 40dB,频率高达 67GHz
- 典型值 30dB,频率高达 81GHz
- 高输入线性度
- P0.1dB:典型值 24dBm
- IP3:典型值 45dBm
- 高射频输入功率处理能力
- 直通路径:24dBm
- 热切换:21dBm
- 无低频杂散
- 与 CMOS/LVTTL 兼容
- 快速 RF 切换时间:15 ns
- 射频稳定时间(从 50% VCTRL 到最终射频输出的 0.1dB):35ns
- 单电源供电能力(VDD = 3.3 V,VSS = 0 V)
- 30 球、1.56 毫米 × 2.04 毫米、带凸点、裸片销售
ADRF5420 是一款采用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (SPDT) 开关。该开关的工作频率范围为 1GHz 至 90GHz,插入损耗优于 3.0dB,隔离优于 3dB。ADRF5420 的直通路径射频输入功率处理能力为 24 dBm,热切换射频输入功率处理能力为 21 dBm。
ADRF5420 在 +3.3V 正电源供电时电流消耗低至 130μA,在 −3.3V 负电源供电时电流消耗低至 490μA。该设备采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑(LVTTL)兼容的控制技术。
ADRF5420 也可以在施加单个正电源电压 (VDD) 而将负电源电压 (VSS) 接地的情况下工作。在这种工作条件下,当降低开关特性、线性度和功率处理性能时,仍可保持小信号性能。有关详细信息,请参见数据手册中的表 2。
ADRF5420 的射频端口设计用于匹配 50Ω 的特性阻抗。ADRF5420 是一款 30 球、1.56 毫米 x 2.04 毫米、带凸点的裸片,可在 -40°C 至 +105°C 之间工作。
应用
- 测试和仪器仪表
- 蜂窝基础设施:5G 毫米波
- 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
参考资料
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5420BCDZ | BUMPED_DIE | ||
| ADRF5420BCDZ-R7 | BUMPED_DIE |
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